VPD-ICP-MS测试是一种基于化学分解和质谱分析的技术,主要用于晶圆表面金属元素分析。该技术的原理是将硅片置于VPD室中,并暴露于HF蒸气中以溶解自然氧化物或热氧化的SiO2表面层。然后将提取液滴(通常为250 μL的2% HF/2% H2O2)置于晶圆上,...
VPD ICP-MS检测过程 测试过程(可实现全自动化)包括四个步骤: 1.将硅片置于 VPD 室中,并暴露于 HF 蒸气中以溶解自然氧化物或热氧化的 SiO2表面层 2.将提取液滴(通常为 250 μL 的 2% HF/2% H2O2)置于晶圆上,然后以精心控制的方式倾斜,使得液滴在晶圆表面上“扫掠” 3.随着提取液滴在晶圆表面上移动,它...
VPD ICP-MS检测过程 测试过程(可实现全自动化)包括四个步骤: 1.将硅片置于 VPD 室中,并暴露于 HF 蒸气中以溶解自然氧化物或热氧化的 SiO2表面层 2.将提取液滴(通常为 250 μL 的 2% HF/2% H2O2)置于晶圆上,然后以精心控制的方式倾斜,使得液滴在晶圆表面上“扫掠” 3.随着提取液滴在晶圆表面上移动,它...
三、VPD ICP-MS检测过程 测试过程(可实现全自动化)包括四个步骤: 1.将硅片置于 VPD 室中,并暴露于 HF 蒸气中以溶解自然氧化物或热氧化的 SiO2表面层 2.将提取液滴(通常为 250 μL 的 2% HF/2% H2O2)置于晶圆上,然后以精心控制的方式倾斜,使得液滴在晶圆表面上“扫掠” 3.随着提取液滴在晶圆表面上移动...
as Li, Na, Mg, and Al, are difficult or impossible to analyze. To improve the detection capability of the analysis, vapor phase decomposition (VPD) was developed as a pre-concentration technique for TRXF.Analysis of Metallic Impurities in Si Wafers Using Fully Automated VPD-ICP-MS ICP - ...
VPD ICP-MS检测过程 测试过程(可实现全自动化)包括四个步骤: 1.将硅片置于 VPD 室中,并暴露于 HF 蒸气中以溶解自然氧化物或热氧化的 SiO2表面层 2.将提取液滴(通常为 250 μL 的 2% HF/2% H2O2)置于晶圆上,然后以精心控制的方式倾斜,使得液滴在晶圆表面上“扫掠” ...
VPD ICP-MS检测过程 测试过程(可实现全自动化)包括四个步骤: 1.将硅片置于 VPD 室中,并暴露于 HF 蒸气中以溶解自然氧化物或热氧化的 SiO2表面层 2.将提取液滴(通常为 250 μL 的 2% HF/2% H2O2)置于晶圆上,然后以精心控制的方式倾斜,使得液滴在晶圆表面上“扫掠” ...
VPD ICP-MS检测过程分为四个步骤。首先，将硅片置于VPD室中，通过HF蒸气溶解表面的自然氧化物或热氧化的SiO2。接着，将提取液滴（通常为2% HF/2% H2O2）置于晶圆上，并以控制方式倾斜，使得液滴在晶圆表面上移动并收集溶解态SiO2与所有污染物金属。然后，将提取液滴从晶圆表面转移到ICP-MS或ICP-MS/...
VPD ICP-MS检测过程 测试过程(可实现全自动化)包括四个步骤: 1.将硅片置于 VPD 室中,并暴露于 HF 蒸气中以溶解自然氧化物或热氧化的 SiO2表面层 2.将提取液滴(通常为 250 μL 的 2% HF/2% H2O2)置于晶圆上,然后以精心控制的方式倾斜,使得液滴在晶圆表面上“扫掠” ...
VPDICPMS系统是一款高效、稳定的数据管理系统,提供全面的数据集成、处理、分析和展示功能。该系统拥有强大的数据处理能力,支持海量数据的快速处理和管理。同时 ,理想股票技术论坛