VNS1NV04DP-E 电源负载开关 ST 封装电源开关 批次22+ 价格 ¥2.00 ¥1.00 起订量 100个起批 1000个起批 发货地 广东省 深圳市 所属类目 电子元器件;集成电路(IC);PMIC/负载驱动器 产品标签 VNS1NV04DP-E;ST;电源开关 获取底价 查看电话 在线咨询 深圳市集达胜电子科技有限公司 主营商品:...
型号 VNS1NV04DP-E DS90UB941ASRTDRQ1 A3941KLPTR-T IPD90N04S4-04 F280049PZSR VNS1NV04DP-E TPS92692QPWPRQ1 SAK-TC233L-32F200N AC SAK-TC237LP-32F200S AB NCV7321D12R2G SAK-XC2365B-40F80LR AB TLE9263BQX TLE9263QX TLE92108-232QX TLE92104-232QX BTS443P ISO124U/1K DP83848...
系列 VNS1NV04DP-E 资格 AEC-Q100 湿度敏感性 Yes 工作电源电流 150 uA 单位重量 150 mg 可售卖地 全国 型号 VNS1NV04DPTR-E PDF资料 电源管理芯片-电源负载开关-VNS1NV04DPTR-E-ST(意法)-SMD-23+.pdf 下载 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况...
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)VNS1NV04DP-E是由两个单片OMNIFET II芯片封装在标准SO-8封装。OMNIFET II是在STMicroelectronics VIPower中设计™ M0-3技术:它们旨在替代DC至50KHz的标准功率MOSFET应用。内置热关机,线性电流限制和过电压钳位保护芯片在恶劣环境中的应用。故障反馈可通过监控输入引脚处...
VNS1NV04DP-E - OMNIFET II :FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET, VNS1NV04DPTR-E, STMicroelectronics
VNS1NV04DP-E ST Microelectronics (意法半导体) MOS管 STMICROELECTRONICS VNS1NV04DP-E 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.7 A, 45 V, 0.25 ohm, 5 V, 500 mV查看详情 SOIC-8 14周 在产 2003年 ¥4.582 数据手册(7) 器件3D模型 规格参数 代替型号 (1)...
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The VNS1NV04DP-E is a device formed by two monolithic OMNIFET II chips housed in a standard SO-8 package. The OMNIFET II are designed in STMicroelectronics VIPower M0-3 technology: they are intended for replacement of standard Power MOSFETs from DC up to 50KHz applications. Built in ...
系列 VNS1NV04DP-E 资格 AEC-Q100 湿度敏感性 Yes 工作电源电流 150 uA 单位重量 150 mg 可售卖地 全国 型号 VNS1NV04DPTR-E PDF资料 电源管理芯片-电源负载开关-VNS1NV04DPTR-E-ST/意法-SOP-8-22+.pdf 下载 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情...
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