The VNN1NV04P-E, VNS1NV04P-E are monolithic devices designed in STMicroelectronics VIPower M0-3 Technology, intended for replacement of standard Power MOSFETs from DC up to 50 kHz applications. Built in thermal
系列: VNN1NV04P-E 资格: AEC-Q100 最大关闭延迟时间: 1000ns 最大开启延迟时间: 200ns 湿度敏感性: Yes 工作电源电流: 100uA Pd-功率耗散: 7W RdsOn-漏源导通电阻: 250mOhms 关闭: Yes 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购...
型号: VNN1NV04PTR-E 封装: SOIC8 批号: 22+ 数量: 5000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -30C 最大工作温度: 100C 最小电源电压: 1V 最大电源电压: 6V 长度: 5.1mm 宽度: 5.9mm 高度: 1.4mm 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化...
VNN1NV04PTR-E是一款采用VIPower M0技术设计的45V全自动保护型功率MOSFET,用于替代直流至50KHz应用中的标准功率MOSFET。内置热关断、线性电流限制和过压箝位功能可在恶劣环境中保护芯片。可通过监测输入引脚的电压来检测故障反馈。 线性电流限制 热关断 短路保护 集成钳位 输入引脚电流低 通过输入引脚进行诊断反馈 ESD...
VNN1NV04P-E, VNS1NV04P-E OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET Features Parameter Symbol Value Max on-state resistance (per ch.) Current limitation (typ) Drain-source clamp voltage RON ILIMH VCLAMP 250 m 1.7 A 40 V • Linear current limitation • Thermal shutdown • ...
输出端数量: 1 Output 输出电流: 1.7 A 电源电压-最大: 36 V 上升时间: 170 ns 下降时间: 200 ns 最小工作温度: - 40 C 最大工作温度: + 150 C 系列: VNN1NV04P-E 资格: AEC-Q100 最大关闭延迟时间: 1000 ns 最大开启延迟时间: 200 ns 湿度敏感性: Yes 工作电源电流: 100...
VNN1NV04PTR-E,VNS1NV04P-E是单片器件设计于意法半导体VIPower M0-3技术用于替换标准电源直流至50 kHz应用中的MOSFET。内置热关断,线性电流限制和过压钳位可保护芯片免受恶劣环境的影响环境。 故障反馈可以通过监视输入引脚上的电压。 特征:VNN1NV04PTR-E •线性电流限制 •热关机 •短路保护 •一体式...
VNN1NV04PTR-E【IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 SOT223】原装正品芯片 杭州一路发发跨境电子商务有限公司1年 月均发货速度:暂无记录 浙江 杭州市 ¥2.20 原装正品VNN1NV04PTR-E封装SOT223 栅极驱动器 IC芯片 全新现货 安凌芯科(深圳)电子有限公司2年 ...
品牌: ST(意法) 型号: VNN1NV04PTR-E 数量: 5000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -30C 最大工作温度: 130C 最小电源电压: 3V 最大电源电压: 6.5V 长度: 8.4mm 宽度: 8.2mm 高度: 1.1mm 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可...
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 PMIC/负载驱动器 商品关键词 VNN1NV04PTR-E、 ST/意法半导体、 SOT-223 商品图片 商品参数 品牌: ST/意法半导体 封装: SOT-223 批号: 2022+ 数量: 2000 制造商: STMicroelectronics 系列: OMNIFET II™, VIPower™ 开关类型: ...