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VNS3NV04DPTR-E ST Microelectronics (意法半导体) 电源管理 40V,120mΩ,3.5A,双N沟道自带保护功率MOSFET查看详情 SOIC-8 14周 在产 2011年 ¥9.819 数据手册(4) 器件3D模型 规格参数 代替型号 (2) 反馈错误 by FindIC.com VNS3NV04DPTR-E 全球供应商...
型号 VNS3NV04DPTR-E 技术参数 品牌: ST 型号: VNS3NV04DPTR-E 数量: 5000 制造商: STMicroelectronics 产品种类: 门驱动器 RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SO-8 电源电压-最小: 40 V 电源电压-最大: 55 V 最小工作温度: - 40 C 最大工作温度: + 150 C 系列: VNS3NV04DP-E 资...
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 PMIC/负载驱动器 商品关键词 VNS3NV04DPTR、 E、 ST、 New 商品图片 商品参数 品牌: ST 封装: New 批号: 21+ 数量: 5000 制造商: STMicroelectronics 产品种类: 门驱动器 RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/箱体: SO-8 电源...
制造商编号VNS3NV04DPTR-E 制造商ST(意法半导体) 唯样编号A36-VNS3NV04DPTR-E 供货严选 无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs 描述 VNS3NV04DP Series 5 A OMNIFET II Fully Autoprotected Power Mosfet - SOIC-8 数据手册发送到邮箱 PDF资料下载 VNS3NV04DPTR-E.pdf ...
型号 VNS3NV04DPTR-E 技术参数 品牌: ST 型号: VNS3NV04DPTR-E 封装: SOP8 批号: 新年份 数量: 90000 产地: 中国 可售卖地: 全国 产品类型: 现货 产品说明: 全新原装 ROHS: 是 特色服务: BOM配单 包装: 卷带 产品种类: 驱动器 制造商: ST 数量: 90000 PDF资料 接口及驱动芯片-电机驱动器及控...
VNS3NV04DPTR-E是一种特殊的电子元件,它是一款高性能的非隔离式N沟道MOS场效应晶体管。这种晶体管是由先进的工艺技术制造而成,具有许多独特的特性和广泛的应用领域。 首先,VNS3NV04DPTR-E的参数非常出色。它具有低漏电流和高绝缘电阻,能够提供优异的电气性能。此外,它的漏源电压范围广泛,耐压能力强,可以适应各种...
系列 VNS3NV04DP-E 资格 AEC-Q100 湿度敏感性 Yes 工作电源电流 100uA 可售卖地 全国 型号 VNS3NV04DPTR-E 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准...
Part #: VNS3NV04DPTR-E. Download. File Size: 289Kbytes. Page: 21 Pages. Description: OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET. Manufacturer: STMicroelectronics.
VNS3NV04DP-E;VNS3NV04DPTR-E;中文规格书,Datasheet资料