l2: 当MOS管进入导通状态后，沟道间开始产生电流Id。随着Vgs电压的持续上升，电流Id线性增加，直至达到最大值。在此过程中，Vds电压略有下降，这主要是由于Cds电容的放电所致。l3：当Vgs增大到某一程度时，电流Id会达到其最大饱和值，此时Vgs将保持一段时间的稳定，不再继续增加，这就是所谓的米勒效应。同时，由于...
一、首先进行ID-VDS曲线的仿真 1、设置变量 首先电路图如下,设置vgs和vds为变量,mos的宽和长也设置为变量“W”和“L”。 然后对vds进行扫描,观察id的变化,具体操作如下图 2、然后设置仿真环境。 3、仿真结果: 二、ID_VGS曲线仿真 1、设置变量 首先电路图如下,设置vgs和vds为变量,mos的宽和长也设置为变量“...
当Vgs小于阈值电压Vth时,MOSFET处于截止状态,此时无论Vds如何变化,漏极电流Id都极小或为零。 当Vgs大于Vth时,MOSFET开始导通,漏极电流Id随着Vds的增大而增大。但这一增长并非无限制的,具体取决于MOSFET的工作区域。 工作区域: 线性区:当Vds较小时,MOSFET处于线性区。在此区域内,Id与Vds成正比,MOSFET可以看作是一...
一、首先进行ID-VDS曲线的仿真 1、设置变量 首先电路图如下,设置vgs和vds为变量,mos的宽和长也设置为变量“W”和“L”。 然后对vds进行扫描,观察id的变化,具体操作如下图 2、然后设置仿真环境。 3、仿真结果: 二、ID_VGS曲线仿真 1、设置变量 首先电路图如下,设置vgs和vds为变量,mos的宽和长也设置为变量“...
VDS：漏极-源极电压，即MOSFET工作时漏极和源极之间的电压（最大承受）。VGS：栅极-源极电压，即MOSFET工作时栅极和源极之间的电压（最大承受）。ID：漏极电流（漏极可承受的持续电流值），即MOSFET工作时从漏极流出的电流，如果流过的电流超过该值，会产生击穿的风险。IDM：最大脉冲漏极电流（源漏之间可承受...
MOS 管的饱和区:输出电流 Id 不随输出电压 Vds 变化。 3、击穿 Vgs 过大会导致栅极很薄的氧化层被击穿损坏。 Vds 过大会导致D和衬底之间的反向PN结雪崩击穿,大电流直接流入衬底。 三、 MOS管的开关过程分析 如果要进一步了解MOS管的工作原理,剖析MOS管由截止到开启的全过程,必须建立一个完整的电路结构模型,引...
本篇主要介绍绝对最大额定值相关的参数。主要包括VDS、VGS、ID、IDM、IAS、EAS、PD、TJ、TSTG几个参数,参数列表如下所示 1、漏-源极电压(VDS) VDS是指MOSFET的漏-源极的绝对最大值电压,在管子工作时,这两端的电压应力不能超过最大值。在MOSFET选型时,VDS电压都要降额80%选用。
方法/步骤 1 打开仿真软件，画出逻辑图。从下图可以看出，ID是随着vds的增大而增大的。其实这就是我们知道的Early 效应。2 当VDS增加时，衬底也是有电流的。如下图所示 3 其实栅端也是有电流的，在低频时通常可以认为栅端是开路的。4 一般情况下，IDS只考虑与VGS与VDS的关系。5 当VDS固定时，IDS与VGS成比例...
大家看一下为什么VGS的波形关断会震荡这么厉害，有没有好的解决方案
VDS表示漏极与源极之间所能施加的最大电压值。 VGS表示栅极与源极之间所能施加的最大电压值。 ID表示漏极可承受的持续电流值,如果流过的电流超过该值,会引起击穿的风险。 IDM表示的是漏源之间可承受的单次脉冲电流强度,如果超过该值,会引起击穿的风险。