在nMOSFET操作中，漏极和源极之间的电位（VDS），以及栅极和源极之间的电位（VGS），总是正的。当一...
MOS管在ON状态时工作于线性区（相当于三极管的饱和区），与三极管相似，电流Ids由Vgs和Vds决定，但MOS管的驱动电压Vgs一般可保持不变，因而Ids可仅受Vds影响，即在Vgs固定的情况下，导通阻抗Rds基本保持不变，所以MOS管采用Rds方式。电流可以双向流过 MOSFET的D和S ，正是MOSFET这个突出的优点，让同步整流中没有DCM...
大家看一下为什么VGS的波形关断会震荡这么厉害，有没有好的解决方案
1 打开仿真软件，画出逻辑图。从下图可以看出，ID是随着vds的增大而增大的。其实这就是我们知道的Early 效应。2 当VDS增加时，衬底也是有电流的。如下图所示 3 其实栅端也是有电流的，在低频时通常可以认为栅端是开路的。4 一般情况下，IDS只考虑与VGS与VDS的关系。5 当VDS固定时，IDS与VGS成比例变化。下列是...
1、 线性区:当Vds较小时,|Vds|<|Vgs|-|Vth|,Vgs<0,D端附近空穴少于S端,沟道形成楔形分布,沟道相当于一个可变电阻,Ids随着Vds增大线性增大 2、 预夹断点:Vds逐渐增大,当Vgd=Vgs-Vds=Vth时,相当于Vds增加使D极处沟道缩减到刚刚开启的情况,及预夹断...
Vdsat（漏源电压饱和值）指的是在MOSFET或IGBT等双极型晶体管中，当栅极到源极之间的电压（Vgs）达到某一值时，漏极到源极之间的电流（Ids）开始急剧增加，这个电压值即为Vdsat。在实际应用中，Vdsat值的大小直接影响了电路的性能和效率。Vov（阈值电压）是指在双极型晶体管中，当栅极到源极之间电压（...
PMOS晶体管的饱和条件是VGS ≥ VS - VB,在饱和区内,当VGS保持不变时,随着VDS的增加,电流I会逐渐减小。以下是对这一关系
SOA示意图中蓝色的就是Rds(on)限制线,简单理解,就是MOS管完全导通的时候,会有导通电阻Rds(on),我们知道,此时MOS工作在欧姆区,有关系式Vds=Ids*Rds(on),在我们固定条件Vgs和温度的情况下,Rds(on)就是一个常数,所以我们会看到这条曲线是线性的。
一般数据表呈现的值是一个范围,与SOA推测出的Rds(on)不完全一致,而SOA曲线展现的是一个常数,并且曲线是线性的,一般厂家给出的SOA曲线,是指在某一特定工作条件下使用的Rds(on),主要是以Vgs和温度有关。 关系式:Vds=Ids*Rds(on) b.电流限制线 通常指的是MOS管最大脉冲尖峰电流Idm,这是由器件本身的封装决定...
MOS管在ON状态时工作于线性区(相当于三极管的饱和区),与三极管相似,电流Ids由Vgs和Vds决定,但MOS管的驱动电压Vgs一般可保持不变,因而Ids可仅受Vds影响,即在Vgs固定的情况下,导通阻抗Rds基本保持不变,所以MOS管采用Rds方式。 电流可以双向流过 MOSFET的D和S ,正是MOSFET这个突出的优点,让同步整流中没有DCM的概念...