您能告訴我如何使用 Simetrix 模擬 FET Vds-Ids 特性嗎? 到目前為止,我嘗試的是從 PSPICE 建立等效組件塊,並檢查結溫 Tj = 175°C 時 Vds-Ids 特性是否與資料表相符。但結果與數據表不符。 具體差異如下圖所示。 Tj=25℃,Vgs=15V 資料表:Vds = 16V,Ids ≒ 840A Simetrix:Vds = 16V,Ids = 8...
大家看一下为什么VGS的波形关断会震荡这么厉害，有没有好的解决方案
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开关管ids，vds跟电流有关。放大器由于具有不同的拓扑结构 ，其功耗远小于上面任何一类放大器。放大器的输出级在正电源和负电源之间切换从而产生一串电压脉冲。这种波形有利于降低功耗 ，因为当输出晶体管在不导通时具有零电流 并且在导通时具有很低的vds 因而产生较小的功耗ids vds 。
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As for what we have tried so far, we have created an equivalent component block from PSPICE and confirmed whether the Vds-Ids characteristics match the data sheet when the junction temperature is Tj = 175°C. However, the results did not match the data sheet. Specific differences are ...
内容提示: - 1 - 国家职业技能鉴定维修电工高级工 晶体管特性图示仪测量场效应管的第一步 调出扫描点 1 打开晶体管特性图示仪电源 预热 15 分钟 2 将峰值电压旋钮调至零 3. 调节“辉度” 、 “聚焦” 、 “辅助聚焦” 、“X 轴位移” 、“Y 轴位移” 、 “电流/度” 、 “伏/度”旋钮在荧光屏...
如果用在印度市场需要注意些什么，该开关电源能否满足印度市场？部分电路图：VDS波形如下：Ids波形：
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