到目前為止,我嘗試的是從 PSPICE 建立等效組件塊,並檢查結溫 Tj = 175°C 時 Vds-Ids 特性是否與資料表相符。但結果與數據表不符。 具體差異如下圖所示。 Tj=25℃,Vgs=15V 資料表:Vds = 16V,Ids ≒ 840A Simetrix:Vds = 16V,Ids = 892A Tj=175℃,Vgs=15V 資料表:Vds = 16V,Ids ≒ 690A...
以数字源表测量FET特性，Source接地，Drain施加扫描电压Vds以及测量Ids，Gate施加固定偏压Vg ...的确 Ig...
百度试题 题目MOSFET的转移特性曲线,是指 A.Ids v.s. VdsB.Ids v.s. VgsC.Igs v.s. VdsD.Igs v.s. Vgs相关知识点: 试题来源: 解析 B 反馈 收藏
推荐300nm的...那我想问下如果用的氧化层太厚，比如2um，漏电流在pA量级，那么这样测出来的数据可靠...