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不同Id时Vgs(th)(最大值): 3V@250µA 功率-最大值: 1.8W(Ta) 工作温度: -55°C~150°C(TJ) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm宽) 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同...
LT7904FL-X/封装:PDFN3*3-8L,VDS=30V、ID=59.6A、Pd=31W、RDS=5.5mΩ@10V,20A、VGS==2.5@250μA,印字:7904 领泰 NMOS管 更新时间:2024年07月26日 家装建材,一站式购齐,点击查看更多优质好物! 价格 ￥0.60 起订量 1PCS起批 发货地 广东 深圳 数量 获取底价 查看电话 点击洽谈,获取...
不同Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA Vgs(最大值) ±20V 功率耗散(最大值) 5.9W(Tc) 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 表面贴装型 供应商器件封装 8-SO 封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 可售卖地 全国 类型 分立半导体产品 型号 SI4455DY-T1-GE3 技术...
Id-连续漏极电流: 29 A Rds On-漏源导通电阻: 125 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V Qg-栅极电荷: 85 nC 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 150 C Pd-功率耗散: 250 W 通道模式: Enhancement 系列: E 配置: Single 下降时间: 36 ns 上升...