在N沟道增强型场效应管中,vGD=vGS - vDS随着vDS的增大,靠近漏极的沟道越来越薄,那么iD是变大还是变小? 扫码下载作业帮搜索答疑一搜即得 答案解析 查看更多优质解析 解答一 举报 当然是减小 解析看不懂?免费查看同类题视频解析查看解答 特别推荐 热点考点 2022年高考真题试卷汇总 2022年高中期中试卷汇总 2022年...
Vds是MOS的漏极电压，Vgs是栅极电压，也称为阀值电压开启电压，是导通MOS管的一个值。
Vds是MOS的漏极电压，Vgs是栅极电压，也称为阀值电压开启电压，是导通MOS管的一个值。
可以根据 Mos 的工作状态计算。 比如您提到的 IRF100B201,Vdss=100V, Vgsmax=+/-20V。 如果Mosfet 是关断状态,假设 Vgs=0V,那么 Vdg 最大值就是 Vds 最大值,100V。 如果Mosfet 是开通的状态,比如 Vgs=10V,那么 Vds=I...
4.如果3是正确的,即最大 Vgs 也适用于 VGD:那么考虑到栅极和源极分类的 NMOS 及其最大电平的 Vds,与最大 Vgs 额定值相比,Vgd 将非常高( 通常最大 Vds >>最大 Vgs)。 因此、在这种情况下、也会出现电容器击穿。 感谢您的帮助。 -两个地方的 Saha...
（1）首先设定UDS为0，然后慢慢增加UGS，等到UGS〉UGS（th），管子两端只要加微量电流，管子就可以导通，此时沟道形成了。（2）当UGS为大于UGS（th）的某个特定值，然后增加UDS。当UDS<UGS-UGS（th）时， 管子就等效为一个可变电阻，电阻值的大小与UGS有关系，UGS越大，电阻越小。（3）当UDS=UGS-...
对于电路中的最大 VDS -可用的 VDSS/VDSmax 规格、 MOSFET 数据表中是否有任何规格可提供 MOSFET 可承受的最大 VGD 信息、或者我们是否可以从 VGSmax 和 VDSmax 规格中扣除一些值、如 VGSmax-VDSmax、以获得 VGDmax。 我的印象是、VGS max 是栅极到源极还是栅极到漏极之间常...
In other words, the max Vgd is not the same as the max Vgs, and is much greater such that the max Vgs or max Vds will always be exceeded first. TI does not specify or test VGSS. There is no risk or problems ope...
对于电路中的最大 VDS -可用的 VDSS/VDSmax 规格、 MOSFET 数据表中是否有任何规格可提供 MOSFET 可承受的最大 VGD 信息、或者我们是否可以从 VGSmax 和 VDSmax 规格中扣除一些值、如 VGSmax-VDSmax、以获得 VGDmax。 我的印象是、VGS max 是栅极到源极还是栅极到漏极之间常见...
对于电路中的最大 VDS -可用的 VDSS/VDSmax 规格、 MOSFET 数据表中是否有任何规格可提供 MOSFET 可承受的最大 VGD 信息、或者我们是否可以从 VGSmax 和 VDSmax 规格中扣除一些值、如 VGSmax-VDSmax、以获得 VGDmax。 我的印象是、VGS max 是栅极到源极还是栅极到漏极之间常...