此时,即使Vds继续增大,也不会对MOSFET的导通程度产生显著影响。 变阻区:当Vgs > Vth且Vds < Vgs - Vth时,MOS管工作在变阻区。此时沟道是“畅通”的,相当于一个导体,且近似满足V-I的线性关系,即有一个近似固定的阻值。此阻值受Vgs控制。 三、Vgs、Vth与Vds的综合关系 公式表示:虽然有一个公式VGS = VTH ...
Vgs（门源电压/Gate-Source Voltage）是栅极和源极之间的电压差，对于MOSFET操作至关重要，影响沟道形成和电流流动。增强型MOSFET需Vgs超过门槛电压Vth以形成导电沟道，允许电流从源极流向漏极。Vds（漏源电压/Drain-Source Voltage）是漏极和源极之间的电压差，影响电流流动状态和量。不同Vds值下，MOSFET...
当Vgs小于阈值电压Vth时,MOSFET处于截止状态,此时无论Vds如何变化,漏极电流Id都极小或为零。 当Vgs大于Vth时,MOSFET开始导通,漏极电流Id随着Vds的增大而增大。但这一增长并非无限制的,具体取决于MOSFET的工作区域。 工作区域: 线性区:当Vds较小时,MOSFET处于线性区。在此区域内,Id与Vds成正比,MOSFET可以看作是一...
这就需要选择低Vth的MOSFET，或者使用电平转换电路来提高VGS，以确保MOSFET能够可靠地工作在导通状态。因此，在设计逻辑电平驱动的电路时，必须充分考虑VGS与逻辑电平的匹配关系。VDS（漏源电压）定义与作用 VDS是指MOSFET的漏极（D）与源极（S）之间的电压。当MOSFET导通时，VDS主要影响MOSFET的导通电阻（RDS(on)）和...
在MOSFET选型时，VGS的考虑主要包括： 阈值电压（Vth）：这是MOSFET开始导通的最小VGS值。选择时，应确保工作电压高于阈值电压，以保证MOSFET在预期的工作条件下能够正常导通。 最大栅源电压（VGS_max）：这是MOSFET能够承受的最大栅源电压。超过此值可能会损坏MOSFET。理解VDS（漏源电压）VDS是MOSFET漏极与源...
Vdsat=Vgs-Vth的公式在描述MOSFET的线性区与饱和区分界点时存在局限性，尤其是对于短沟道器件和FINFET器件，误差较大。实际Vdsat值通常小于此数值。沟道夹断模型指出，当Vds大于等于Vgs-Vth时，Vgd小于Vth，漏端形成反型层，沟道在漏端发生夹断。这时，由于夹断区场强很大，即使没有沟道，载流子也会被...
PMOS进入饱和区的核心条件是栅源电压VGS小于等于阈值电压Vth(即VGS ≤ Vth)。由于PMOS为P型器件,其阈值电压Vth通常为负值。当满足该条件时:沟道在漏极附近被夹断 漏极电流ID主要由栅源电压VGS决定 漏源电压VDS对电流的影响表现为二次效应2. 饱和区内的VDS影响机制...
当vds增大到超过vgs-vth时，漏端与栅极的电压差小于一个vth，此时沟道夹断，因此这一点也称为夹断点。
Vgs超过Vth的部分越多,导电沟道内被吸引的自由电子越多,此时可形象地理解为沟道内的载流子就越多,沟道宽度就越大。此时Rdson和(Vgs-Vth)呈反比,电流id和(Vgs-Vth)呈正比。 如果从导电沟道的形状来判断,此时由于Vds较小,沟道还处于矩形或近似矩形,未发生明显的形变。
VGS和VDS详解 一、VGS(栅-源电压) VGS是栅极(Gate)和源极(Source)之间的电压差,对于MOSFET的操作而言,VGS是一个关键参数,因为它决定了MOSFET是否能够导通以及导通的程度。 1、工作原理:当VGS超过一定的阈值电压(Vth,也称为开启电压)时,MOSFET开始导通,形成一个导电沟道,允许电流从漏极流向源极,对于增强型MOSFET...