场效应管vgs 30v 品牌 VISHAY DIODES 美台 英飞凌 TOSHIBA IR 东芝 宽度 1.3mm 1.6mm 3.3mm 3.9mm 4.7mm 长度 2.1mm 2.9mm 3.3mm 4.9mm 6.5mm 15.87mm 最小电源电压 3.5v 4.5v 产品参数 最大电源电压 上升时间 下降时间 高度 单位重量 商标名 工作温度 ...
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1. Infineon P-Channel Power MOSFETs Infineon提供多种P-Channel MOSFET，涵盖从-12V到-250V的电压范...
您好, 只有加在MOS管上的某个参数超过其最大绝对额定值才会导致MOS管损坏,仅看MOS管的栅极电压是不能判断是否会使它损坏的。如果MOS管的栅极-源极电压超过了所选MOS管最大绝对额定值,那么它就会损坏。如datasheet截图所示,给出了可以选择的MOS型号
贴片场效应管(MOSFET) 1135DQ(9435 )SOP8 VDS 30V RDS VGS -10 厦门晟鑫源科技有限公司20年 月均发货速度:暂无记录 福建 厦门市 ¥0.90 SIR873DP-T1-GE3 MOSFET150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8场效应管 深圳市创宝星科技有限公司11年 月均发货速度:暂无记录 ...
本公司生产销售场效应管 场效应管,提供场效应管专业参数,场效应管价格,市场行情,优质商品批发,供应厂家等信息.场效应管 场效应管 品牌VISHAY|产地广东省|价格8.0000元|型号SIHG30N60E-GE3|上升时间32 ns|批号20+|下降时间36 ns|系列E|Vds-漏源极击穿电压600 V|Pd-功率耗散25
VGS是栅极阈值电压（Gate Threshold Voltage），最大GS电压为30V。VGS大于一定的值就会导通，适合用于源极...
最近做了一个用RCC方式工作的12V充电器,发现一个很有趣的问题。220V输入空载时MOS管VGS电压峰值达到30V,负载时峰值电压能达到45V,MOS管采用的是2N60、变压器是EE22。但在充电时多正常,输出1.3A时老化一个星期MOS管温度只有一点微热、变压器也差不多温度,一点也
DIODES 场效应管 DMN3730UFB4-7 MOSFET 30V N-Ch VDSS 30V VGSS 8V VGS 4.5V DMN3730UFB4-7 14560 DIODES DFN 21+ ￥0.5700元>=1 个 深圳市明鑫实业电子有限公司 4年 查看下载 立即询价 查看电话 QQ联系 TOSHIBA 场效应管 SSM3K329R,LF MOSFET SM Sig N-CH MOS 30V 3.5A 12V VGSS ...
PMOS电源驱动管 -30V-32A TDFN3.3X3.3-8L 4419FN 深圳市可利特科技有限公司13年 回头率:20% 广东 深圳市福田区 ¥0.1成交0件 PMOS -30V-38A PDFN5X6-8L 7401FJ 电源驱动管 深圳市可利特科技有限公司13年 回头率:20% 广东 深圳市福田区