场效应管vgs 30v 品牌 VISHAY DIODES 美台 英飞凌 TOSHIBA IR 东芝 宽度 1.3mm 1.6mm 3.3mm 3.9mm 4.7mm 长度 2.1mm 2.9mm 3.3mm 4.9mm 6.5mm 15.87mm 最小电源电压 3.5v 4.5v 产品参数 最大电源电压 上升时间 下降时间 高度 单位重量 商标名 工作温度 ...
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1. Infineon P-Channel Power MOSFETs Infineon提供多种P-Channel MOSFET，涵盖从-12V到-250V的电压范...
您好, 只有加在MOS管上的某个参数超过其最大绝对额定值才会导致MOS管损坏,仅看MOS管的栅极电压是不能判断是否会使它损坏的。如果MOS管的栅极-源极电压超过了所选MOS管最大绝对额定值,那么它就会损坏。如datasheet截图所示,给出了可以选择的MOS型号
贴片场效应管(MOSFET) 1135DQ(9435 )SOP8 VDS 30V RDS VGS -10 厦门晟鑫源科技有限公司20年 月均发货速度:暂无记录 福建 厦门市 ¥0.90 SIR873DP-T1-GE3 MOSFET150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8场效应管 深圳市创宝星科技有限公司11年 月均发货速度:暂无记录 ...
【惠海半导体直销】30V 60V 100V mos管 3A 5A 10A 15A 25A 30A 50A贴片mos管 SOT23封装 TO-252 SOP-8 DFN3*3封装mos管 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价...
爱企查为您提供VISHAY SIHD180N60E-GE3 MOSFET 650V Vds; 30V Vgs DPAK (TO-252),深圳市金和信科技有限公司售卖商品,可电话联系商家或留言询价。价格;行情报价;图片;厂家;品牌-VISHAY;数量-5;制造商-Vishay;产品种类-MOSFET;RoHS-是;技术-Si;安装风格-SMD/SMT;
在MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)中,Vgs(栅极-源极电压)和Vds(漏极-源极电压)之间的关系是理解MOSFET工作特性的关键。 一、基本定义 Vgs(栅极-源极电压):这是施加在MOSFET栅极和源极之间的电压。它决定了MOSFET的导通与截止状态。对于NMOS而言,当Vgs大于阈值电压Vth时,MOSFET导通;而对于PMOS,情况则相反,当...
VGS是栅极阈值电压（Gate Threshold Voltage），最大GS电压为30V。VGS大于一定的值就会导通，适合用于源极...
最近做了一个用RCC方式工作的12V充电器,发现一个很有趣的问题。220V输入空载时MOS管VGS电压峰值达到30V,负载时峰值电压能达到45V,MOS管采用的是2N60、变压器是EE22。但在充电时多正常,输出1.3A时老化一个星期MOS管温度只有一点微热、变压器也差不多温度,一点也