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在MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)中,Vgs(栅极-源极电压)和Vds(漏极-源极电压)之间的关系是理解MOSFET工作特性的关键。 一、基本定义 Vgs(栅极-源极电压):这是施加在MOSFET栅极和源极之间的电压。它决定了MOSFET的导通与截止状态。对于NMOS而言,当Vgs大于阈值电压Vth时,MOSFET导通;而对于PMOS,情况则相反,当...
Vgs超过Vth的部分越多,导电沟道内被吸引的自由电子越多,此时可形象地理解为沟道内的载流子就越多,沟道宽度就越大。此时Rdson和(Vgs-Vth)呈反比,电流id和(Vgs-Vth)呈正比。 如果从导电沟道的形状来判断,此时由于Vds较小,沟道还处于矩形或近似矩形,未发生明显的形变。
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PMOS管的Vgs+-20V现在我在VDS加-30V，VGS超过了-20V，为了不损坏 mos管，我在G到地端串一个电阻有...
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