SVT10500PD 100v耐压p-mos管采用TO-252封装,漏源电压:-100V,漏极电流:-30A,RDS(on)(典型值)=35mΩ@VGS=10V,典型应用于报警器、储能、电动工具等。 SVGP15161PL3A P沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用PDFN-8-3*3封装,漏源电压:-150V,漏极电流:-9A,RDS(on)(典型值)=130mΩ@VGS=10V,典型应用于5G...