非自洽计算是在自洽基础上改变k点(重新生成k点)等参数,根据不同需要选取能量或势函数或电子密度作为初始值,进行非自洽迭代计算,可用于求解DOS,能带(电子结构分析)或者光学等其他性质 第四步和第三步的INCAR不一样(具体来说:ENCUT EDIFF 等),导致计算报错: vasp.out报错提示:CHGCAR:维数不同;WAVECAR:不同的cutoff...
HSE06计算能带的KPOINTS文件：通过调用VASPKIT程序来生成：vaspkit->25->251。将生成的KPATH.in文件重命名为KPOINTS文件即可，示例如下：结果处理 调用VASPKIT程序来生成用于绘制能带结构的REFORMATTED_BAND.dat文件：vaspkit->25->252，导入origin作图即可。
将计算的 WAVECAR, CHGCAR,CONTCAR, POTCAR 和提交脚本复制到做HSE06的目录下。 将CONTCAR 复制为 POSCAR 。 注:能带计算比较耗时,我们可以设置多个节点并行计算。 注:INCAR 中的参数 NPAR 和 KPAR 根据自身情况的修改可以显著的提高计算效率。 注:如果该步计算,第一次没有算完,然后停掉了。在没有删除第一步任...
VASP计算能带结构采用HSE杂化泛函步骤涉及优化、静态自洽、HSE自洽及非自洽计算。首先，执行结构优化（opt），目标是在能量最低的结构基础上得到稳定的晶体结构。静态自洽计算（gamma-scf）在此基础上固定原子位置，通过电子自洽计算求解体系基态下的费米能级、电子波函数、电荷密度等信息。静态自洽计算需提供结...
1. 引入 本文旨在展示如何借助VASP软件，通过杂化泛函HSE+U方法对氧化锌(ZnO)的能带结构进行计算，旨在提高带隙预测的准确性。2. 自洽方法比较 起初，我们使用平面波自洽方法(SCF)对ZnO能带进行计算，得出带隙约为2.7 eV，这与实验测定的3.37 eV存在显著差异。3. HSE+U方法的引入 为了提升计算的...
但是下一步HSE06.Band计算中用vaspkit911功能查看了带隙，是2.42,（文献值2.3，实验值2.0左右）。
根据VASP手册和网上虫子的资料，我的计算步骤是一 ，正常的优化，二，DFT的自洽（SCF), 三，HSE06的...
【摘要】VASP是全球先进的第一性原理计算软件包,其在SCI论文中年引用数量均高达10000以上。VASP能够应用于材料、化工、催化、金属、半导体、锂电、航空、环保等多个领域,全球用户数量庞大。 1.背景介绍 VASP是全球先进的第一性原理计算软件包,其在SCI论文中年引用数量均高达10000以上。VASP能够应用于材料、化工、催化、...
本文将介绍如何使用VASP软件中的杂化泛函HSE+U方法计算氧化锌(ZnO)能带，以达到更为准确的带隙计算。首先，通过SHE自洽方法计算ZnO能带，发现带隙为2.7 eV左右，与实验值3.37 eV有较大偏差。为提高计算精度，引入HSE+U方法，即在HSE泛函的基础上加入U参数，以更精确地表征材料的电子结构。杂化泛函HSE...
在使用VASP进行能带计算的时候,最常见的就是使用PBE泛函,PBE泛函计算的速度是很快的,当然有优点就有缺点,PBE虽然在计算速度上很快,但是往往对带隙的评估会与实验值偏离很多,为了更准确的评估带隙,尤其在计算光学性质的时候,往往会用更准确的杂化泛函去计算能带,这里做一个VASP+HSE对能带的计算。