POSCAR直接使用结构优化产生的CONTCAR，命令为‘cp CONTCAR POSCAR’。KPOINTS和POTCAR不变，直接将结构优化的KPOINTS和POTCAR拷贝过来即可。以上即是第二步静态自洽计算的过程。下面进行第三步的非自洽计算，通过这步计算即可得到数据，绘制能带结构图。在非自洽计算这一步，需要用到自洽计算的WAVECAR文件和CHGCAR文件，并...
非自洽计算是在自洽基础上改变k点(重新生成k点)等参数,根据不同需要选取能量或势函数或电子密度作为初始值,进行非自洽迭代计算,可用于求解DOS,能带(电子结构分析)或者光学等其他性质 第四步和第三步的INCAR不一样(具体来说:ENCUT EDIFF 等),导致计算报错: vasp.out报错提示:CHGCAR:维数不同;WAVECAR:不同的cutoff...
VASP半导体与缺陷课程主要介绍三维和二维半导材料的结构、电子、缺陷、吸附、催化性质,具体涉及结构模型、电荷分布、态密度、能带结构、静电势、功函数、吸附能、缺陷形成能、转变能级、迁移势垒、分解路径与势垒。【计算入门】VASP计算九大专题培训:晶体、二维材料、催化
我原先只用VASP计算了能带结构,后来碰到一些问题,就用OpenMX和ABACUS进行了计算,用来互相验证一下。 本文没有用QE计算,关于QE相关的计算,可见《QE的安装与简单学习》《QE计算能带和态密度》《QE中的赝势》。不过,ABACUS中可以使用QE中的赝势,所以我们可以把ABACUS中PW方法计算的结果等价于QE中的计算! 单层FeSe的侧...
在 VASP 5.x 中，它由两位数字选择，其中第一个数字对应于类似于常规分子动力学的恒温器，第二个数字...
VASP二维材料课程主要介绍二维结构的模型构建、电子性质、吸附性质,以及在Li离子电池和催化剂方面的应用,具体涉及模型构建、电荷分布、态密度、能带结构、吸附能、结合能、差分电荷密度、离子容量、离子迁移势垒、反应自由能、过渡态。【计算入门】VASP计算九大专题培训:
vasp是使用赝势和平面波基组,进行从头量子力学分子动力学计算的软件包。用vasp计算硅的能带结构首先要了解晶体硅的结构,它是两个嵌套在一起的FCC布拉菲晶格,相对的位置为 (a/4,a/4,a/4), 其中a=5.4A是大的正方晶格的晶格常数。在计算中,我们采用FCC的原胞,每个原胞里有两个硅原子。 VASP计算需要以下的四...
VASP计算能带结构采用HSE杂化泛函步骤涉及优化、静态自洽、HSE自洽及非自洽计算。首先，执行结构优化（opt），目标是在能量最低的结构基础上得到稳定的晶体结构。静态自洽计算（gamma-scf）在此基础上固定原子位置，通过电子自洽计算求解体系基态下的费米能级、电子波函数、电荷密度等信息。静态自洽计算需提供...
VASP实用教程:杂化泛函(HES06)计算能带 PBE泛函计算能带结构通常会低估带隙值,这主要是由于交换关联能的不连续,导致计算出的带隙会被低估。而使混合使用HartreeFock和DFT交换条件的杂化泛函(HSE06)被认为是解决能带问题的实用方法。 因为HSE06在纯泛函的交换关联能中掺入了HartreeFock成分,改善了电子相关描述(具体...