本教程将使用 VASP 来计算硅的态密度和能带。通过本教程学习,将了解 VASP 的 INCAR(vasp 功能控制文件)、POSCAR(结构文件)、POTCAR(赝势文件)和 KPOINTS(倒格矢格点)这 4 个基本输入文件的作用,并学会自行编写输入文件。 *公共教程地址:https://go.openbayes.com/Ak0KY *效果示例: 结构优化 ISTART=1(读取初...
把BAND.dat导入到Origin中做折线图 3.态密度计算 1、态密度计算和计算能带的做法一样,先新建一个目录,命名为dos,然后复制scf目录里面的INCAR、POSCAR、POTCAR、KPOINTS,CHGCAR过来。要修改一下INCAR,或者直接复制下面的INCAR。 Global Parameters ISTART = 1 (Read existing wavefunction; if there) ISPIN = 2 (Sp...
01 克隆并启动容器 登录http://OpenBayes.com,在「公共教程」页面,选择「VASP 杂化泛函计算硅的态密度和能带」教程。 页面跳转后,点击右上角「克隆」,将该教程克隆至自己的容器中。 在「选择算力」处选择「NVIDIA GeForce RTX 4090」,镜像选择「vasp」,OpenBayes 平台上线了新的计费方式,大家可以按照需求选择「按量...
进行计算前，首先准备VASP、vaspkit和Originlab工具。INCAR、POSCAR、POTCAR、KPOINTS四个文件以及一个运行文件构成VASP计算所需的输入。利用vaspkit，可从POSCAR文件自动生成POTCAR、KPOINTS和INCAR文件，其中POTCAR需提前设置路径。计算流程分为静态自洽（scf）、能带计算和态密度计算。在静态自洽阶段，使用自动生成...
本文介绍用VASP如何求硅的电子态密度和能带,共分为如下5个部分: (1). 生成4个输入文件: POSCAR POTCAR INCAR KPOINTS (2). 优化晶格参数,求出能量最低所对应的晶格参数 (3). 固定晶格参数, 求出能态密度(DOSCAR), 确定费米能量 (4). 修改KPOINTS和INCAR输入文件,固定电荷密度,做非自洽计算,得到输出文件EI...
用VASP 计算能量态密度(DOS)和能带 整理人: 邮 箱:l 整理时间:2009年11月22日 使用 :VASP 一、用 VASP 计算态密度 使用的 :VASP 辅助分析计算的小程序:read_dos.f90 操作流程及主要步骤: 主要分两步:一、静态自洽计算;二、非自洽计算(以 fcc 结构的Al为例) 第一步 静态自洽计算(得到自洽的电荷密度) ...
vasp计算带电缺陷，中性体系为电荷数为1274，计算负二价缺陷电荷数为1276。分别采用K点为12*12*1和高...
用vasp计算能带和态密度,非自洽完成以后,分别用band_procar.f和dos_procar.f处理计算结果,想得到可以用来画图的数据,但是出现以下错误: forrtl: severe (174): SIGSEGV, segmentation fault occurred Image PC Routine Line Source dos-procar 0000000000459514 Unknown Unknown Unknown dos-procar 000000000044646F Un...
如果取别的值 计算的能带是乱的 谢谢 我是在天津超算上计算的 vasp编译应该没有问题吧 不太懂 ...
VASP使用高效的矩阵对角化技术求解电子基态。在迭代求解过程中采用了Broyden和Pulay密度...;计算材料的电子结构(能级、电荷密度分布、能带、电子态密度和ELF) ·计算材料的光学性质 ·计算材料的磁学性质 ·计算材料的晶格动力学性质(声子谱等 固体与表面-从零学习vasp计算(4)-输入文件1...