这一步可以通过命令行操作完成，即使用cp命令将SUPERCELL.vasp复制到POSCAR。注意：在继续进行后续计算之前，我们需要将生成的TRANSMAT文件重命名为TRANSMAT.in。这一步可以通过使用mv命令来完成，即执行mv TRANSMAT TRANSMAT.in的操作。此外，如果您使用的是VESTA软件，还需要自行创建一个新的TR
VASP计算能带 这里以计算体相Si的能带结构为例说明能带计算的基本步骤,首先能带结构需要三步计算: ① 结构优化 ② 自洽(scf)计算, 得到CHGCAR,WAVECAR ③ 读入上一步的CHGCAR,进行非自洽计算 ① 结构优化先前已经讲过了,设置基本的参数,准备好INCAR,KPOINTS, POTCAR, POSCAR和提交作业的脚本,提交作业即可; ② 自洽...
本文主要讲解使用VASP计算BN能带和态密度。 一、前期准备 需要使用VASP、vaspkit、Originlab vasp的准备,需要INCAR(控制文件),POSCAR(晶格位置文件或者结构文件),POTCAR(赝势文件),KPOINTS(是k点路径),四个输入文件以及一个运行文件。只要有了POSCAR其他的三个文件可以可以通过vaspkit得到。其中赝势文件是提前导入设置好路...
下面进行第三步的非自洽计算，通过这步计算即可得到数据，绘制能带结构图。在非自洽计算这一步，需要用到自洽计算的WAVECAR文件和CHGCAR文件，并在INCAR中增加NBANDS，通过‘grep NBANDS OUTCAR’命令来获得其数值。下面说几个需要注意的点。INCAR中需要注意的参数：ISTART= 1 ICHARG = 11 设置这两个参数后，需要注...
首先，利用vasprun.xml输出文件，结合p4vasp软件，将该文件导入并进行分析。在p4vasp中，通过点击DOS+bands选项，即可进一步探索和处理数据。默认情况下，p4vasp会显示态密度。若要查看能带结构，只需点击“show—bands”进行切换即可。导出数据的方法在之前的章节中已经详细介绍过，这里我们不再赘述。接下来，我们将介绍...
在VASP中，我们通常使用KPOINTS文件来指定计算中的高对称路径。其中，51Line-mode rec模式表示我们选择了51个点来构成一条线，并且这些点是以reciprocal lattice（倒格子）为基础进行分布的。这样的设置有助于我们更精确地捕捉到能带结构中的关键特征。. .在VASP中，我们通过KPOINTS文件来设定高对称路径的计算。其中，...
VASP计算能带 这里以计算体相Si的能带结构为例说明能带计算的基本步骤,首先能带结构需要三步计算: ① 结构优化 ② 自洽(scf)计算, 得到CHGCAR,WAVECAR ③ 读入上一步的CHGCAR,进行非自洽计算 ① 结构优化先前已经讲过了,设置基本的参数,准备好INCAR,KPOINTS, POTCAR, POSCAR和提交作业的脚本,提交作业即可; ...
能带结构是由许多能带组成的,每个能带都代表了一种可能的电子状态。简单来说: 价带:这是最低能量的电子所在的能带。 导带:位于价带之上,包含较高能量的电子。 带隙:价带和导带之间的能量差,是判断材料性质的关键参数。🛠 VASP能带计算流程: 能带计算有点像态密度计算,需要一系列的自洽计算。了解原胞、晶胞、超...
VASP入门到精通：[9]VASP计算能带 简介 这一节介绍怎么计算能带 工具/原料 需要几个脚本：gk.x 和 band.x 以及syml文件 方法/步骤 1 能带跟DOS是对应的，通过能带可以得到一些重要的电子结构信息 2 如上图，左边纵坐标是能量，横坐标中竖线是高对称点 3 在上一节，我们做了2步计算，分别是优化和自洽INCAR ...
所以,对金属体系结构优化的时候,ISMEAR > = 0参考:https://cms.mpi.univie.ac.at/vasp/vasp/Partial_occupancies_different_methods.html 对于半导体和绝缘体的体系,ISMEAR>0是不可以的。只能ISMEAR<=0。 四面体方法(ISMEAR = -5)不适合计算能带(对所有的体系来说的)。多谢wuli8老师帮忙完善!