04. Origin处理紫外可见光漫反射(Uv-vis)数据处理及禁带宽度的计算 4.6万 8 17:52 App 固体紫外吸收及半导体带隙的计算 1282 0 16:38 App 【科普】操作紫外-可见(UV-Vis)分光光度计测量薄膜样品的吸收光谱 3.8万 9 16:47 App 15- 研究生使用Origin绘制Tauc曲线计算带隙(UV-Vis) 4303 1 14:54 App ...
研究生论文干货:光催化电化学sci论文中必会的相对能带结构图基础画法:紫外可见吸收光谱tauc法计算带隙,xps价带谱测价带顶位置。 致我亲爱的二氧化钛 1.6万 2 origin 处理紫外分光光度计 当年明月燶 7663 3 紫外-可见漫反射(UV-vis),Tauc曲线,带隙Eg 红呋绿喃 3.3万 46 ...
基本原理是存在Eg =1240/λg 的数量关系,其中λg单位为nm,Eg单位为eV,认为半导体的带边波长(λg)决定于禁带宽度Eg。因此,可以通过求取λg来得到Eg。 具体操作: 1.一般通过UV-Vis DRS测试可以得到样品在不同波长下的吸收,打开数据导入origin,生成散点图; 2.在Origin中,通过微分的方法找极值点:分析Analysis -...
1)一般通过UV-Vis DRS测试可以得到样品在不同波长下的吸收,如图4所示; 图4. 紫外可见漫反射图 2)根据(αhv)1/n = A(hv - Eg),其中α为吸光指数,h为普朗克常数,v为频率,Eg为半导体禁带宽度,A为常数。其中,n与半导体类型相关,直接带隙半导体的n取1/2,间接带隙半导体的n为2。 3)利用UV-Vis DRS数据...
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刚刚看文献发现Si的带隙在1.12eV，这个切线的与x轴的截距是衬底Si的吗？
hν-Eg)^n 曲线，然后用切线与x轴交点就是带隙宽度。但是，个人认为，这中可以用，但方法不好，
(α hv)1/m=B(hν-Eg) 直接带隙:m=1/2;间接带隙:m=2;α为吸收系数,B为常数,hv为光子能量,h 为普朗克常数=4.1356676969×10-15 eV·s,ν 为入射光子频率,Eg表示半导体禁带宽度(带隙)。 1.导入我们测试的数据(波长和强度,分别作X、Y),选择绘制折线图,并修改线条粗细,点类型,颜色,修改标题等等:吸收...
UV-Vis光谱主要取决于分子结构和取代基,但是分子中的结构因素和测定条件也会影响光谱。主要体现在对共轭作用的影响。 1.空间位阻的影响 各生色因子处于同一平面才能达到有效共轭,若发色团之间或发色团与助色团之间太拥挤,就会排斥于同一平面之外,使共轭程度降低,跃迁所需能量增大,吸收峰蓝移,吸收强度减小。