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基本原理是存在Eg =1240/λg 的数量关系,其中λg单位为nm,Eg单位为eV,认为半导体的带边波长(λg)决定于禁带宽度Eg。因此,可以通过求取λg来得到Eg。 具体操作: 1.一般通过UV-Vis DRS测试可以得到样品在不同波长下的吸收,打开数据导入origin,生成散点图; 2.在Origin中,通过微分的方法找极值点:分析Analysis -...
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1)一般通过UV-Vis DRS测试可以得到样品在不同波长下的吸收,如图4所示; 图4. 紫外可见漫反射图 2)根据(αhv)1/n = A(hv - Eg),其中α为吸光指数,h为普朗克常数,v为频率,Eg为半导体禁带宽度,A为常数。其中,n与半导体类型相关,直接带隙半导体的n取1/2,间接带隙半导体的n为2。
刚刚看文献发现Si的带隙在1.12eV，这个切线的与x轴的截距是衬底Si的吗？
(α hv)1/m=B(hν-Eg) 直接带隙:m=1/2;间接带隙:m=2;α为吸收系数,B为常数,hv为光子能量,h 为普朗克常数=4.1356676969×10-15 eV·s,ν 为入射光子频率,Eg表示半导体禁带宽度(带隙)。 1.导入我们测试的数据(波长和强度,分别作X、Y),选择绘制折线图,并修改线条粗细,点类型,颜色,修改标题等等: ...
紫外可见漫反射光谱(UV-Vis DRS)主要是利用光在物质表面的反射来获取物质的信息,与物质的电子结构有关。一般用于研究固体材料,可研究催化剂表面过渡金属离子及其配合物的结构、氧化状态、配位状态、配位对称性;可在光催化中研究催化剂的光吸收性能;可用于色差的测定等。
hν-Eg)^n 曲线，然后用切线与x轴交点就是带隙宽度。但是，个人认为，这中可以用，但方法不好，