1)一般通过UV-Vis DRS测试可以得到样品在不同波长下的吸收,如图4所示; 图4. 紫外可见漫反射图 2)根据(αhv)1/n = A(hv - Eg),其中α为吸光指数,h为普朗克常数,v为频率,Eg为半导体禁带宽度,A为常数。其中,n与半导体类型相关,直接带隙半导体的n取1/2,间接带隙半导体的n为2。 3)利用UV-Vis DRS数据...
跪求 请问各路大侠，无机粉体该如何测定带隙啊。用UV-vis测定时，是不是旋涂成薄膜呢，还是用积分球...
怎么用UV-VIS测得的透过率光谱计算光学带隙或者说是禁带宽度？求指教啊，谢谢各位
1)一般通过UV-Vis DRS测试可以得到样品在不同波长下的吸收,如图4所示; 图4. 紫外可见漫反射图 2)根据(αhv)1/n = A(hv - Eg),其中α为吸光指数,h为普朗克常数,v为频率,Eg为半导体禁带宽度,A为常数。其中,n与半导体类型相关,直接带隙半导体的n取1/2,间接带隙半导体的n为2。 3)利用UV-Vis DRS数据...
跪求,无机粉体的UV-vis光谱带隙测定11 2/2 返回列表 上一页 1 2 查看: 1922 | 回复: 10 只看楼主@他人 存档 新回复提醒 (忽略) 收藏 在APP中查看 【悬赏金币】回答本帖问题,作者sky-blue将赠送您 4 个金币 davidleeciac 至尊木虫 (正式写手) 应助: 4 (幼儿园) 金币: 13385.6 红花: 4 ...
1)一般通过UV-Vis DRS测试可以得到样品在不同波长下的吸收,如图4所示; 图4. 紫外可见漫反射图 2)根据(αhv)1/n = A(hv - Eg),其中α为吸光指数,h为普朗克常数,v为频率,Eg为半导体禁带宽度,A为常数。其中,n与半导体类型相关,直接带隙半导体的n取1/2,间接带隙半导体的n为2。
怎么用UV-VIS测得的透过率光谱计算光学带隙或者说是禁带宽度？求指教啊，谢谢各位
跪求 请问各路大侠，无机粉体该如何测定带隙啊。用UV-vis测定时，是不是旋涂成薄膜呢，还是用积分球...
怎么用UV-VIS测得的透过率光谱计算光学带隙或者说是禁带宽度？求指教啊，谢谢各位
跪求 请问各路大侠，无机粉体该如何测定带隙啊。用UV-vis测定时，是不是旋涂成薄膜呢，还是用积分球...