切线法 基本原理是存在Eg =1240/λg 的数量关系,其中λg单位为nm,Eg单位为eV,认为半导体的带边波长(λg)决定于禁带宽度Eg。因此,可以通过求取λg来得到Eg。 具体操作: 1.一般通过UV-Vis DRS测试可以得到样品在不同波长下的吸收,打开数据导入origin,生成散点图; 2.在Origin中,通过微分的方法找极
1)一般通过UV-Vis DRS测试可以得到样品在不同波长下的吸收,如图4所示; 图4. 紫外可见漫反射图 2)根据(αhv)1/n = A(hv - Eg),其中α为吸光指数,h为普朗克常数,v为频率,Eg为半导体禁带宽度,A为常数。其中,n与半导体类型相关,直接带隙半导体的n取1/2,间接带隙半导体的n为2。 3)利用UV-Vis DRS数据...
指数n与半导体类型直接相关,直接带隙半导体n=1/2;间接带隙半导体n=2。 具体操作:以一种间接带隙半导体为例。 a.计算:利用紫外漫反射光谱数据分别求(αhv)1/n和hv.,其中n=2,hv=hc/λ(h=6.63×10 -34 J·s,c为光速3×10 -8 m·s -1 ,λ为光的波长,可得到hv=1240/λ )。可以用excle或者origin...
经UV-vis DRS测得漫反射光谱后,再转化为吸光谱,通过计算得出半导体的禁带宽度。 图1紫外可见漫反射光谱测试装置 1、光催化反应 根据以能带为基础的电子理论,半导体的基本能带结构为:存在一系列的满带,最上面的满带称为价带(Valence band,VB);存在一系列的空带称为导带(Conduction band,CB);导带和价带之间为禁带...
通过采用适宜的光激发半导体材料,能使其激发价带的电子到导带,产生电子与空穴对,而导带低端与价带顶端能量差距就是带隙大小。通过对半导体能带结构的测试,能对其光电性能进行解析。采用紫外可见漫反射光谱(UV-Vis DRS)测试是计算带隙值的一种方法。 紫外可见漫反射测试及带隙计算示例...
固体样品的紫外-可见漫反射光谱（UV-Vis DRS）测定 一、实验目的 1.掌握紫外-可见漫反射原理；2.了解紫外-可见分光光度计的类型和结构；3.数据处理及分析。二、实验原理 1.紫外-可见漫反射光谱与紫外一可见吸收光谱相比，所测样品的局限性要小很多。吸收光谱符合朗伯-比尔定律，溶液必须是稀溶液才能测量。而漫...
楼主用DRS-UV-vis测固体材料的紫外吸收，通过Tacu plot计算出带隙。 审稿人说算带隙必须用到Kubelka-...
1、固体样品的紫外-可见漫反射光谱(UV-Vis DRS)测定实验目的1.掌握紫外-可见漫反射原理;2.了解紫外-可见分光光度计的类型和结构;。实验原理1.紫外-可见漫反射光谱与紫外一可见吸收光谱相比,所测样品的局限性要小很多。吸收光谱符合朗伯-比尔定律,溶液必须是稀溶液才能测量。而漫反射光谱,所测样品可以是浑浊溶液、...
UV-vis DRS,咋算禁带? 在进行UV-vis DRS紫外漫反射光谱分析时,波长单位通常采用米(m)。光频率的计算公式为光速除以波长(c/λ),单位为电子伏特(eV)。这里需要注意的是,光频率的计算中要除以单位电子的电量,以得到正确的单位。 在进行直线拟合时,应选择最直的一段光谱数据进行作图。拟合出的直线在y轴上的截距...
1固体样品的紫外-可见漫反射光谱(UV-VisDRS)测定一、实验目的1.掌握紫外-可见漫反射原理;2.了解紫外-可见分光光度计的类型和结构;3.数据处理及分析。..