左侧是由UCC27517A-Q1驱动的MOSFET,右侧是由BJT图腾柱驱动的MOSFET。由于BJT图腾柱未集成UVLO,所以会因功耗增加而使MOSFET过热 图3:UCC27517A-Q1驱动的MOSFET(左)和BJT图腾柱动的MOSFET(右)在3.3V启动时的热感图像 分立式BJT图腾柱电路中可增加外部UVLO电路,但这会进一步增加元件数,从而导致电路板尺寸更大和BOM成...
最近使用UCC27517A-Q1 驱动英飞凌coolmos IPW65R110CFD时发现,主拓扑不加输入电压驱动波形米勒平台严重,波形如下 这是主拓扑不加输入,电压开启时的驱动波形。 这是主拓扑不加输入电压,关断时的驱动波形。 驱动电路原理图如下图: 英飞凌IPW65R110CFD的寄生电容曲线如下: 希望大神能够解惑!!!
UCC27517AQDBVRQ1 5V 负输入电压4A/4A 单通道高速低侧栅极驱动器 规格书-原理图-了解详情可联系 (咨询电话:18124089957 微信同号) 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的...
Other Parts Discussed in Thread:UCC27517A-Q1 刚才发帖图片没法显示,现在更新一下,最近使用UCC27517A-Q1驱动英飞凌coolMOS IPW65R110CFD的时候发现主功率不加输入电压时,驱动波形米勒平台很明显,开启关断分别如下图所示: 图1 主功率回路不加输入电压时,开启驱动的波形图 图2 主功率回路不加输入电压时,关...
(具具有有4A 峰峰值值拉拉/灌灌电电流流)) 1 特特性性 3 说说明明 1 • 符合汽车应用要求 UCC27517A-Q1 单通道高速低侧栅极驱动器器件有效 • 具有符合AEC-Q100 标准的下列结果: 地驱动金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 和 – 符合汽车应用要求的器件温度 1 级:-40°C 至 绝缘栅双极型晶体管(...
在现代电子设计中，对高性能驱动器的需求日益增长。UCC27517AQDBVRQ1芯片以其卓越的性能，满足了高速开关应用的需求。这款单通道高速低侧栅极驱动器，以其4-A的峰值源和汇能力，为工程师们提供了一个强大的工具，以实现高效的功率转换和控制。技术参数解析 UCC27517AQDBVRQ1芯片的核心技术参数，为设计者提供了清晰...
UCC27517A-Q1单通道高速低侧栅极驱动器件有效地驱动金属氧化物半导体场效应应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极型晶体管UCC27517A-Q1能够灌,拉高峰值电流脉冲进入到电容负载值为13ns)。 UCC27517A-Q1器件在输入上处理-5V电压。 当V DD = 12V时,UCC27517A-Q1可提供峰值为4A的灌/拉(对称驱动)电流驱动能力。 UCC27517...
型号: UCC27517AQDBVRQ1 封装: N/A 批号: 2024+ 数量: 60000 制造商: Texas Instruments 产品种类: 门驱动器 RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SOT-23-5 输出电流: 4 A 上升时间: 9 ns 下降时间: 7 ns 电源电压-最小: 4.5 V 电源电压-最大: 18 V 最小工作温度: - 40 C 最大工作...
型号 UCC27517AQDBVRQ1 技术参数 品牌: TI/德州仪器 型号: UCC27517AQDBVRQ1 数量: 5000 类别: 集成电路(IC) PMIC - 栅极驱动器 制造商: Texas Instruments 系列: Automotive, AEC-Q100 驱动配置: 低端 通道类型: 单路 驱动器数: 1 栅极类型: IGBT,N 沟道 MOSFET 电压- 供电: 4.5V ~ 18V 逻辑电压...
UCC27517AQDBVRQ1单通道高速低侧栅极驱动器器件有效地驱动金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 和绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 开关。 借助于固有的大大减少击穿电流的设计,UCC27517AQDBVRQ1能够灌、拉高峰值电流脉冲进入到电容负载,此电容负载提供了轨到轨驱动能力以及极小传播延迟(典型值为 13ns)。