https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/835967/ucc21732-q1-undervoltage-and-desat-fault-false-triggers 器件型号:UCC21732-Q1 主题中讨论的其他器件:UCC21732 尊敬的 TI 团队: 我们有一个新的乘用车电机驱动项目、我们在该项...
https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/835967/ucc21732-q1-undervoltage-and-desat-fault-false-triggers 器件型号:UCC21732-Q1 主题中讨论的其他器件:UCC21732 尊敬的 TI 团队: 我们有一个新的乘用车电机驱动项目、我们在该项目中尝...
UCC21732-Q1是一款电流隔离式单通道栅极驱动器,设计用于高达1700V的SiC MOSFET和IGBT,具有先进的保护功能,同类最佳的动态性能和鲁棒性。 输入侧采用SiO 2 电容隔离技术与输出侧隔离,支持高达1.5 kV RMS 工作电压,12.8-kV PK 浪涌抗扰度超过40年隔离屏障寿命,以及提供低部件间偏斜和高CMTI。 特性 单通道SiC /IGB...
UCC21732-Q1 它是一款电隔离单通道栅极驱动器,设计用于高达 1700V 的 SiC MOSFET 和 IGBT,具有先进的保护 功能、一流的动态性能和稳健性。 输入侧通过 SiO2电容隔离技术与输出侧相隔离,支持高达 1.5kVRMS的工作电压、12.8kVPK的浪涌抗扰度,隔离层寿命超过 40 年,并提供较低的器件间偏移和高 CMTI。
UCC21732-Q1 它是一款电隔离单通道栅极驱动器,设计用于高达 1700V 的 SiC MOSFET 和 IGBT,具有先进的保护 功能、一流的动态性能和稳健性。 输入侧通过 SiO2 电容隔离技术与输出侧相隔离,支持高达 1.5kVRMS 的工作电压、12.8kVPK 的浪涌抗扰度,隔离层寿命超过 40 年,并提供较低的器件间偏移和高 CMTI。 ---...
部件名UCC21732-Q1 下载UCC21732-Q1下载 文件大小57.33 Kbytes 页4 Pages 制造商TI1 [Texas Instruments] 网页http://www.ti.com 标志 功能描述SingleChannelIsolatedGateDriverforSiC/IGBTwithAdvancedProtectionandHigh-CMTI 类似零件编号 - UCC21732-Q1
UCC21732-Q1: UCC21732demo板 Part Number:UCC21732-Q1Other Parts Discussed in Thread:UCC21732 hi Ti工程师, 我最近在找一款驱动IGBT驱动芯片,看到了TI的UCC21732,但是在看demo板原理图的时候有个地方不是很明白,请帮忙解释一下? 1 。为什么这里要1个O R的电阻,还有为什么需要2个稳压二极管?
部件名UCC21732-Q1_19 下载UCC21732-Q1下载 文件大小57.33 Kbytes 页4 Pages 制造商TI1 [Texas Instruments] 网页http://www.ti.com 标志 功能描述SingleChannelIsolatedGateDriverforSiC/IGBTwithAdvancedProtectionandHigh-CMTI 类似零件编号 - UCC21732-Q1_19 ...
The UCC21732-Q1 includes the state-of-art protection features, such as fast overcurrent and short circuit detection, shunt current sensing support, fault reporting, active miller clamp, input and output side power supply UVLO to optimize SiC and IGBT switching behavior and robustness. The isolated...
TI 的 UCC21732-Q1 為 適用於 IGBT/SiCFET 且具有 2 段式關閉功能的車用 5.7-kVrms ±10A 單通道隔離式閘極驅動器。尋找參數、訂購和品質資訊