一、芯片核心特性与应用定位 作为德州仪器(TI)专为高压功率应用打造的明星产品,UCC21750-Q1单通道隔离驱动芯片凭借 5.7kVrms 的增强型电容隔离技术,成为新能源汽车电驱系统、光伏逆变器等领域的理想选择。其±10A 的峰值驱动能力与 150V/ns 的共模瞬态抗扰度(CMTI),可完美适配SiC MOSFET与IGBT的高速开关需求。芯片...
https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/996082/ucc21750-q1-ucc21750-power-supply-fault-problem 器件型号:UCC21750-Q1 我们将此 IC 用于 SIC MOSFET 的栅极驱动、但在出现电源故障一段时间后会突然出现。 我们将 FAULT 引脚...
UCC21750-Q1 是一款电隔离单通道栅极驱动器,用于具有高达 2121V 直流工作电压的 SiC MOSFET 和 IGBT,具有高级保护功能 功能、出色的动态性能和稳健性。UCC21750-Q1 具有高达 ±10A 的峰值拉电流和灌电流。 输入侧通过 SiO2电容隔离技术与输出侧相隔离,支持高达 1.5kVRMS的工作电压、12.8kVPK的浪涌抗扰度,隔离层...
摘要:德州仪器UCC21750/UCC21750- q1单通道栅极驱动程序是一种电隔离的栅极驱动程序,设计用于2121V直流工作电压以下的SiC mosfet和igbt,具有先进的保护功能。它提供了最好的动态性能和鲁棒性。UCC21750/UCC... 德州仪器UCC21750/UCC21750- q1单通道栅极驱动程序是一种电隔离的栅极驱动程序,设计用于2121V直流工作电压...
我的客户报告了使用 UCC21750-Q1时 IN+/IN-/RDY 异常水平、详细信息如下: case1:5V PWM 信号在通过电阻器后馈入 IN+/IN-、在引脚上测量、电压仅为1.2V CASE2:RDY 通过10K 电阻器上拉至5V、在 RDY 引脚上测量、电压也仅为1.2V 案例1和案例2同时发生、您知道问题可能是什么...
UCC21750-Q1 是一款电隔离单通道栅极驱动器,用于具有高达 2121V 直流工作电压的 SiC MOSFET 和 IGBT,具有高级保护功能 功能、出色的动态性能和稳健性。UCC21750-Q1 具有高达 ±10A 的峰值拉电流和灌电流。 输入侧通过 SiO2 电容隔离技术与输出侧相隔离,支持高达 1.5kVRMS 的工作电压、12.8kVPK 的浪涌抗扰度,隔...
型号 UCC21750-Q1 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买,则最终以订单结算页价格为准。 抢购价:商品参与营销活动的活动价格,...
Part Number:UCC21750-Q1 Hi team, My customer report abnormal level of IN+/IN-/RDY when use UCC21750-Q1, the details are as follows: case1:5V PWM signal is fed into IN+/IN- after passing through the resistor, measure at the pins, the voltage is only 1.2...
UCC21750-Q1 是一款电隔离单通道栅极驱动器,设计用于直流工作电压高达 2121V 的 SiC MOSFET 和 IGBT,具有先进的保护功能、出色的动态性能和稳健性。 UCC21750-Q1 具有高达 ±10A 的峰值拉电流和灌电流。 输入侧通过 SiO 2 电容隔离技术与输出侧相隔离,支持高达 1.5kV RMS 的工作电压、12.8kV PK 的浪涌抗扰...
TI 的 UCC21750-Q1 為 適用於 IGBT/SiC 且具有 DESAT 和內部鉗位的車用 5.7kVrms、±10A 單通道絕緣式閘極驅動器。尋找參數、訂購和品質資訊