一、芯片核心特性与应用定位 作为德州仪器(TI)专为高压功率应用打造的明星产品,UCC21750-Q1单通道隔离驱动芯片凭借 5.7kVrms 的增强型电容隔离技术,成为新能源汽车电驱系统、光伏逆变器等领域的理想选择。其±10A 的峰值驱动能力与 150V/ns 的共模瞬态抗扰度(CMTI),可完美适配SiC MOSFET与IGBT的高速开关需求。芯片...
输出仍在切换。 FLT是锁定信号，但在捕获FLT中未锁定。能否分享一下FLT pulled low的原因？
I would like to ask a question about UCC21750Q1: In our application, UCC21750 is used to drive SiC FET. We used theDesatfunction and configured the circuit as shown below, we have also done a lot of verification but we currently facing a serious problem: theFault signal(FLT)...
德州仪器UCC21750/UCC21750- q1单通道栅极驱动程序是一种电隔离的栅极驱动程序,设计用于2121V直流工作电压以下的SiC mosfet和igbt,具有先进的保护功能。它提供了最好的动态性能和鲁棒性。UCC21750/UCC21750- q1峰值源电流和吸收电流为±10A。输入端与输出端用SiO隔离 (2)电容隔离技术,支持高达1.5kV (RMS)工作电压12...
UCC21750-Q1 是一款电隔离单通道栅极驱动器,用于具有高达 2121V 直流工作电压的 SiC MOSFET 和 IGBT,具有高级保护功能 功能、出色的动态性能和稳健性。UCC21750-Q1 具有高达 ±10A 的峰值拉电流和灌电流。 输入侧通过 SiO2电容隔离技术与输出侧相隔离,支持高达 1.5kVRMS的工作电压、12.8kVPK的浪涌抗扰度,隔离层...
型号 UCC21750-Q1 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买,则最终以订单结算页价格为准。 抢购价:商品参与营销活动的活动价格,...
UCC21750-Q1 是一款电隔离单通道栅极驱动器,用于具有高达 2121V 直流工作电压的 SiC MOSFET 和 IGBT,具有高级保护功能 功能、出色的动态性能和稳健性。UCC21750-Q1 具有高达 ±10A 的峰值拉电流和灌电流。 输入侧通过 SiO2电容隔离技术与输出侧相隔离,支持高达 1.5kVRMS的工作电压、12.8kVPK的浪涌抗扰度,隔离层...
UCC21750-Q1 是一款电隔离单通道栅极驱动器,设计用于直流工作电压高达 2121V 的 SiC MOSFET 和 IGBT,具有先进的保护功能、出色的动态性能和稳健性。 UCC21750-Q1 具有高达 ±10A 的峰值拉电流和灌电流。 输入侧通过 SiO 2 电容隔离技术与输出侧相隔离,支持高达 1.5kV RMS 的工作电压、12.8kV PK 的浪涌抗扰...
TI 的 UCC21750-Q1 為 適用於 IGBT/SiC 且具有 DESAT 和內部鉗位的車用 5.7kVrms、±10A 單通道絕緣式閘極驅動器。尋找參數、訂購和品質資訊
系列 UCC21750-Q1 湿度敏感性 Yes 输出电压 33 V Pd-功率耗散 985 mW 传播延迟—最大值 90 ns 可售卖地 全国 型号 UCC21750QDWRQ1 PDF资料 集成电路-其他集成电路-UCC21750QDWRQ1-TI-TI-2028+.pdf 下载 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化...