最近使用UCC27517A-Q1 驱动英飞凌coolmos IPW65R110CFD时发现,主拓扑不加输入电压驱动波形米勒平台严重,波形如下 这是主拓扑不加输入,电压开启时的驱动波形。 这是主拓扑不加输入电压,关断时的驱动波形。 驱动电路原理图如下图: 英飞凌IPW65R110CFD的寄生电容曲线如下: 希望大神能够解惑!!!
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UCC27517AQDBVRQ1 TI (德州仪器) FET驱动器 单通道高速低侧栅极驱动器(具有4 -A峰值源和汇) Single-Channel High-Speed Low-Side Gate Driver (with 4-A Peak Source and Sink)查看详情 SOT-23-5 9周 在产 2015年 ¥3.344 TI数据手册 器件3D模型...
分立式BJT图腾柱电路中可增加外部UVLO电路,但这会进一步增加元件数,从而导致电路板尺寸更大和BOM成本更高。与分立式栅极驱动方案相比,栅极驱动器IC(例如,UCC27517A-Q1)需要的元件更少,并且占用更少的PCB空间。图4突出显示了UCC27517A-Q1的PCB布局(左)与分立式低侧栅极驱动器的PCB布局(右)。
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The UCC27517A-Q1 single-channel high-speed low- side gate-driver device effectively drives MOSFET and IGBT power switches. With a design that inherently minimizes shoot-through current, the UCC27517A-Q1 sources and sinks high peak-current pulses into capacitive loads offering rail-to-rail...
在现代电子设计中，对高性能驱动器的需求日益增长。UCC27517AQDBVRQ1芯片以其卓越的性能，满足了高速开关应用的需求。这款单通道高速低侧栅极驱动器，以其4-A的峰值源和汇能力，为工程师们提供了一个强大的工具，以实现高效的功率转换和控制。技术参数解析 UCC27517AQDBVRQ1芯片的核心技术参数，为设计者提供了清晰...
UCC27517A-Q1单通道高速低侧栅极驱动器件有效地驱动金属氧化物半导体场效应应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极型晶体管UCC27517A-Q1能够灌,拉高峰值电流脉冲进入到电容负载值为13ns)。 UCC27517A-Q1器件在输入上处理-5V电压。 当V DD = 12V时,UCC27517A-Q1可提供峰值为4A的灌/拉(对称驱动)电流驱动能力。 UCC27517...
UCC27517AQDBVRQ1 5V 负输入电压4A/4A 单通道高速低侧栅极驱动器 规格书-原理图-了解详情可联系 (咨询电话:18124089957 微信同号) 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的...