在2.5D封装中,在中介层(SI Interposer)的硅通孔(TSV)工艺技术用于芯片到基板的电气连接,细线条布线中介转接层针对的是FPGA、CPU等高性能的应用,其特征是正面有多层细节距再布线层和细节距微凸点,主流硅通孔(TSV)工艺技术深宽比达到10:1,厚度约为100μm。 3、硅通孔(TSV)工艺技术用于3D封装 在3D IC的堆叠封...
其中,3D封装技术与2.5D封装技术的差别主要在于3D封装技术是通过硅通孔(Through Silicon Via, TSV)或玻璃通孔(Through Glass Via, TGV)把所有芯片都垂直连接,而2.5D封装技术指的是将多个芯片平铺在中介层上,中介层上有再布线层,用于芯片间的水平互连,而中介层再通...
1、TSV 三种主要应用方向：背面连接、2.5D 封装、3D 封装TSV 有多种用途，可大致分为 3 种：(a) 垂直的背面连接，无芯片堆叠，如“简单的背面连接”。TSV 位于有源晶粒（active die）中，用于连接至晶圆背面的焊盘（bond pad）；(b) 2.5D 封装。晶粒（die）连接至硅中介层（interposer），TSV 在中介层中...
目前，3D-TSV系统封装技术主要应用于图像传感器、转接板、存储器、逻辑处理器+存储器、移动电话RF模组、MEMS晶圆级三维封装等。引线键合和倒装芯片 引线键合和倒装芯片（flip-chip）互连技术当然不会坐以待毙。许多倒装芯片晶圆凸点技术取得了很大的进步，包括使用共熔倒装芯片泵、铜柱和无铅焊接。最新的封装发展包括使用...
其中,3D封装技术与2.5D封装技术的差别主要在于3D封装技术是通过硅通孔(ThroughSiliconVia,TSV)或玻璃通孔(ThroughGlassVia,TGV)把所有芯片都垂直连接,而2.5D封装技术指的是将多个芯片平铺在中介层上,中介层上有再布线层,用于芯片间的水平互连,而中介层再通过通孔把芯片与封装基板相连,进而实现多个芯片的垂直互连,这...
其中,3D封装技术与2.5D封装技术的差别主要在于3D封装技术是通过硅通孔(Through Silicon Via, TSV)或玻璃通孔(Through Glass Via, TGV)把所有芯片都垂直连接,而2.5D封装技术指的是将多个芯片平铺在中介层上,中介层上有再布线层,用于芯片间的水平互连,而中介层再通过通孔把芯片与封装基板相连,进而实现多个芯片的垂...
本文将探讨3D封装的TSV技术，这一关键技术正引领着半导体封装的新时代。3D封装技术，作为半导体封装领域的重要突破口，正逐渐成为行业焦点。在摩尔定律的驱动下，该技术不仅追求更高的集成度和性能，更开始着眼于实际市场需求，从而实现了从单一追求性能提升到综合满足市场需求的转变。图1展示了TSV技术的发展路线图。TSV...
目前采用TSV工艺微电子制造技术有两种:三维电路封装(3D IC integration)和三维硅封装(3D Si integration)。 两种形式的不同在于: (1) 三维电路封装需要把芯片电极制备成为凸点,凸点间进行互连(通过粘结、熔合、焊接等手段键合),而三维硅封装是芯片与芯片的直接...
介绍了 3 维封装及其互连技术的研究与开发现状, 重点讨论了垂直互连的硅通孔( TSV )互连工艺的关键技术及其加工设备面临的挑战, 提出了工艺和设备开发商的应对措施并探讨了3D TSV 封装技术的应用前景。 近年来,叠层芯片封装逐渐成为技术发展的主流。叠层芯片封装技术,简称 3D 封装,是指在不改变封装体尺寸的前提下...
硅通孔(TSV)是2.5D和3D封装解决方案中的核心技术,它通过在晶圆中填充铜来实现垂直互连,从而连接硅晶圆裸片的各个部分。TSV通过贯穿整个芯片,为电气连接提供最短的路径,从芯片的一侧直接到达另一侧。TSV的制作过程包括在晶圆正面蚀刻通孔至一定深度,然后进行绝缘处理,并在孔内沉积导电材料(通常是铜)进行填充。完成芯片...