3D TSV（Through Silicon Via）封装技术，以其高密度的特点，正逐渐成为封装行业的新宠。它通过硅通孔技术，实现了多层芯片的垂直堆叠与互连，从而在芯片封装领域开辟了新的可能性。接下来，我们将深入探讨3D TSV封装工艺的主要流程及关键技术。首先，孔成型是3D TSV工艺的关键步骤之一。这一环节主要采用激光打孔、干法...
目前，3D-TSV系统封装技术主要应用于图像传感器、转接板、存储器、逻辑处理器+存储器、移动电话RF模组、MEMS晶圆级三维封装等。引线键合和倒装芯片 引线键合和倒装芯片（flip-chip）互连技术当然不会坐以待毙。许多倒装芯片晶圆凸点技术取得了很大的进步，包括使用共熔倒装芯片泵、铜柱和无铅焊接。最新的封装发展包括使用...
TSV 3D先进封装技术详解
[4]半导体行业观察,华为3D芯片堆叠专利解读 [5]中邮证券研究所,先进封装关键技术——TSV 研究框架 [6]知乎,桔里猫,一颗芯片的前世今生,https://zhuanlan.zhihu.com/p/508279928 [7]芯语,3D堆叠技术与TSV工艺,https://www.eet-china.com/mp/a107494.html [8]芯片设计入门,傻白入门芯片设计,芯片键合(Die ...
介绍了 3 维封装及其互连技术的研究与开发现状, 重点讨论了垂直互连的硅通孔( TSV )互连工艺的关键技术及其加工设备面临的挑战, 提出了工艺和设备开发商的应对措施并探讨了3D TSV 封装技术的应用前景。 近年来,叠层芯片封装逐渐成为技术发展的主流。叠层芯片封装技术,简称 3D 封装,是指在不改变封装体尺寸的前提下...
硅通孔(TSV)是2.5D和3D封装解决方案中的核心技术,它通过在晶圆中填充铜来实现垂直互连,从而连接硅晶圆裸片的各个部分。TSV通过贯穿整个芯片,为电气连接提供最短的路径,从芯片的一侧直接到达另一侧。TSV的制作过程包括在晶圆正面蚀刻通孔至一定深度,然后进行绝缘处理,并在孔内沉积导电材料(通常是铜)进行填充。完成芯片...
2.5D/3D TSV 高性能和功能性解决方案 满足高性能、低能耗需求 硅通孔 (TSV) 互连适用于各种 2.5D 封装应用及架构。TSV 技术能够让尖端 封装满足高性能、低能耗需求。 TSV 互连为了顺应各种 2.5D TSV 封装应用和架构而生,此类应用及架构需要以最低的能耗/性能指标提供极高的性能和功能。为了让在此类 2.5D ...
[4]半导体行业观察,华为3D芯片堆叠专利解读 [5]中邮证券研究所,先进封装关键技术——TSV 研究框架 [6]知乎,桔里猫,一颗芯片的前世今生,https://zhuanlan.zhihu.com/p/508279928 [7]芯语,3D堆叠技术与TSV工艺,https://www.eet-china.com/mp/a107494.html [8]芯片设计入门,傻白入门芯片设计,芯片键合(Die ...
目前三星等记忆体存储器、国内的多家TSV工艺封测厂都采用电镀铜的方式。鉴于电镀铜是3D TSV铜互连的核心，我们将在下文重点介绍Super Filling TSV电镀铜工艺。（2）TSV主要工艺流程四：CMP。CMP是指表面研磨抛光，是一种机械和化学腐蚀相结合的工艺，通过将硅片部分或者整体减薄到一定厚度来实现硅片的减薄或者表面抛光...
TSV是三维的芯片堆叠技术，通过硅通孔技术将多层芯片互连导通，是一项高密度封装技术。TSV取代的是传统的低成本、高良率的引线键合技术，所以TSV将长期应用在高性能、高密度封装领域，目前被认为是最具有潜力的3D集成封装关键技术。TSV技术主要通过铜等导电物质的填充完成硅通孔的垂直电气互连，减小信号延迟，降低电容、...