先进封装: TSV(硅通孔)/ TGV(玻璃通孔) 一、TSV:硅通孔技术,芯片垂直堆叠互连的关键技术TSV(Through Silicon Via),硅通孔技术,是通过硅通道垂直穿过组成堆栈的不同芯片或不同层实现不同功能芯片集成的先进封装技术。TSV 主… 半导体封装工程师之家 一文了解硅通孔(TSV)及玻璃通孔(TGV)技
深孔填充技术：TSV深孔填充技术是3D集成的关键技术之一，填充效果直接关系到集成技术的可靠性和良率。采用电镀铜等先进填充技术，确保高深宽比通孔的完全填充，无空洞、夹缝等缺陷。CMP工艺控制：CMP工艺是TSV封装中的重要环节，需要精确控制抛光厚度和均匀性。采用先进的CMP设备和终点监测技术，确保抛光质量。材料选择与...
TSV技术根据深径比和电镀铜的填充方式可分为两大类: 等壁生长的TSV镀铜:适用于深径比较小的应用,如影像传感器、指纹识别芯片的封装。 超级填充电镀铜的TSV:主要用于MEMS等领域。 CIS的TSV封装工艺属于等壁生长的TSV镀铜类型,它利用硅穿孔实现芯片内部电路的互连,与SiP系统中的TSV...
等壁生长的TSV镀铜：此技术适用于深径比较小的应用场景，例如影像传感器及指纹识别芯片的封装。超级填充电镀铜的TSV：此类型则主要被应用于MEMS等领域。值得注意的是，CIS所采用的TSV封装工艺隶属于等壁生长的TSV镀铜范畴。该工艺通过硅穿孔技术实现芯片内部电路的互连，虽然与SiP系统中的TSV集成概念有所不同，但同样...
半导体芯片3D堆叠技术与TSV工艺 1 3D堆叠技术 芯片3D堆叠技术涉及如图1描述的几个关键工艺:晶圆减薄,TSV通孔,Wafer handling,Wafer bonding和Wafer test。 图1 3D堆叠技术关键工艺 图2 为几种叠层封装形式对比 图2 a)叠层绑线封装 b)TSV封装 c)POP package on package 叠层d) PiP Package in package 叠层...
3D TSV是通过在芯片和芯片之间、晶圆和晶圆之间制作垂直导通，实现芯片之间互连的最新技术。与以往 IC封装键合和使用凸点的叠加技术不同，TSV 能够使芯片在三维方向堆叠的密度最大，外形尺寸最小，大大改善芯片速度和低功耗的性能。为了在容许的成本范围内跟上摩尔定律的步伐，在主流器件设计和生产过程中采用三维互联技术...
介绍了 3 维封装及其互连技术的研究与开发现状， 重点讨论了垂直互连的硅通孔（ TSV ）互连工艺的关键技术及其加工设备面临的挑战， 提出了工艺和设备开发商的应对措施并探讨了3D TSV 封装技术的应用前景。近年来，叠层芯片封装逐渐成为技术发展的主流。叠层芯片封装技术，简称 3D 封装,是指在不改变封装体尺寸的...
目前，3D-TSV系统封装技术主要应用于图像传感器、转接板、存储器、逻辑处理器+存储器、移动电话RF模组、MEMS晶圆级三维封装等。引线键合和倒装芯片 引线键合和倒装芯片（flip-chip）互连技术当然不会坐以待毙。许多倒装芯片晶圆凸点技术取得了很大的进步，包括使用共熔倒装芯片泵、铜柱和无铅焊接。最新的封装发展包括使用...
介绍了 3 维封装及其互连技术的研究与开发现状, 重点讨论了垂直互连的硅通孔( TSV )互连工艺的关键技术及其加工设备面临的挑战, 提出了工艺和设备开发商的应对措施并探讨了3D TSV 封装技术的应用前景。 近年来,叠层芯片封装逐渐成为技术发展的主流。叠层芯片封装技术,简称 3D 封装,是指在不改变封装体尺寸的前提下...
3D IC的TSV互连技术能够为集成电路封装提供更短的互连线,带来更好的性能和更高的封装效率。目前TSV互连技术可靠性在消费电子、航空航天等领域也引起重视。 为了解决3D IC中的散热问题,已经有研究3D IC热管理理论建模方面研究,采用3D IC温度分布一维解析模型来估算其温度[16],并将热阻的概念扩展成热阻矩阵[17]。SIN...