由于HJT电池衬底通常为N型单晶硅,而N型单晶硅为磷掺杂,不存在P型晶硅中的硼氧复合、硼铁复合等,所以HJT电池对于LID效应是免疫的。HJT电池的表面沉积有TCO薄膜,无绝缘层,因此无表面层带电的机会,从结构上避免PID 发生。HJT电池首年衰...
由于HJT电池衬底通常为N型单晶硅,而N型单晶硅为磷掺杂,不存在P型晶硅中的硼氧复合、硼铁复合等,所以HJT电池对于LID效应是免疫的。HJT电池的表面沉积有TCO薄膜,无绝缘层,因此无表面层带电的机会,从结构上避免PID 发生。HJT电池首年衰减1-2%,此后每年衰减0.25%,远低于PERC电池掺镓片的衰减情况(首年衰减2%,此后每...
我们如果从CTM=100%反推电池效率,拿M6电池72片来看,不同尺寸硅片不太一样,PERC是22.8%,TOPCon是23.71%,HJT是24.06%,其实真正反映真实从组件端观察的效率。 产线良率:TOPCon是98.5%,现在各个企业播报的差别比较大,从90-95%之间都有宣布;HJT大概98%。 工序数量:PERC是11道工序;TOPCon是12道工序;HJT是7道工序,...
PERC是23%;TOPCon是24.5%;HJT是24.5%。 根据市场上组件功率来推测,有时候说测试效率很高,但是做成组件功率不是很高。一种可能就是CTM低,还有效率虚高。 我们如果从CTM=100%反推电池效率,拿M6电池72片来看,不同尺寸硅片不太一样,PERC是22.8%,TOPCon是23.71%,HJT是24.06%,其实真正反映真实从组件端观察的效率。 ...
现阶段双面PERC,TOPCon能产业化的是单面,我们按照严格CTM100,主要是23.7%-24%之间; 双面非晶HJT大规模量产的是24.3%,反推等效效率24%左右。下一阶段HJT2.0可以到25%,3.0到25.5%。 TOPCon有些企业宣称今年24.5%,明年25%,后年25.5%,从技术来讲,提高效率不是在产线上积累效率就能提高,而是必须有技术设计才有提高...
PERC是24%; TOPCon是26%,是德国4厘米的小面积实验室记录,大面积来看晶科商业化最高效率是25.4%; HJT是隆基M6商业化达到26.3%。 产线名义效率(为产线自己宣传报告,可能有些因素未考虑在内): PERC是23%;TOPCon是24.5%;HJT是24.5%。 根据市场上组件功率来推测,有时候说测试效率很高,但是做成组件功率不是很高。
从生产成本角度看,相比PERC与TOPCon电池,HJT电池在硅片薄片化方面更有优势,可以实现更低的硅片成本,成本增量主要体现为更高的设备折旧、电极浆料成本及靶材成本等。 在硅片成本方面,HJT本身的双面对称结构及无主栅技术的应用,降低了硅片的机械应力,低温工艺减少了硅片受热发生翘曲的可能,这些都更有利于薄片化的进行。
PERC是24%; TOPCon是26%,是德国4厘米的小面积实验室记录,大面积来看晶科商业化最高效率是25.4%; HJT是隆基M6商业化达到26.3%。 产线名义效率(为产线自己宣传报告,可能有些因素未考虑在内): PERC是23%;TOPCon是24.5%;HJT是24.5%。 根据市场上组件功率来推测,有时候说测试效率很高,但是做成组件功率不是很高。
由于HJT电池衬底通常为N型单晶硅,而N型单晶硅为磷掺杂,不存在P型晶硅中的硼氧复合、硼铁复合等,所以HJT电池对于LID效应是免疫的。HJT电池的表面沉积有TCO薄膜,无绝缘层,因此无表面层带电的机会,从结构上避免PID 发生。HJT电池首年衰减1-2%,此后每年衰减0.25%,远低于PERC电池掺镓片的衰减情况(首年衰减2%,此后每...
HJT特殊技术：采用薄膜沉积技术和低温加工工艺，实现了硅晶片与非晶硅层的高效结合，从而提升电池效率。BC特殊技术：通过采用背面接触设计，将所有电极置于电池背面，减少了正面遮挡，提高了光捕获能力和整体美观度。PERC特殊技术：采用选择性发射极制备和背面钝化结构取代了常规全铝背场(Al-BSF)结构。这些关键工艺使得PERC...