采用TO-247-4-PLUS-HCC封装的CoolSiC™ 2000 V 100 mΩ SiC MOSFET,在提高功率密度的同时,可以做到即便在高电压和高开关频率的情况下也不牺牲系统的可靠性。2000 V优化封装中的.XT互连技术,帮助降低了CoolSiC™技术的功耗,从而提高了可靠性。这使其能够帮助组串式逆变器、太阳能发电优化装置和电动汽车充电...
IMYH200R012M1H采用TO-247-4-PLUS-HCC封装的CoolSiC™ 2000 V 沟槽型 SiC MOSFET 采用TO-247-4-PLUS-HCC封装的CoolSiC™ 2000 V 12 mΩSiC MOSFET,在提高功率密度的同时,可以做到即便在高电压和高开关频率的情况下也不牺牲系统的可靠性。2000 V优化封装中的.XT互连技术,帮助降低了CoolSiC™技术的功...
封装 TO247-4-PLUS 批号 22+ 数量 1000 RoHS 是 产品种类 电子元器件 最小工作温度 -20C 最大工作温度 90C 最小电源电压 4.5V 最大电源电压 7V 长度 8.7mm 宽度 3.6mm 高度 2.5mm 可售卖地 全国 型号 IKY100N120CH7 技术参数 品牌: INFINEON 型号: IKY100N120CH7 封装: TO247-...
封装 TO247-4-PLUS 批号 22+ 数量 1000 RoHS 是 产品种类 电子元器件 最小工作温度 -30C 最大工作温度 130C 最小电源电压 4V 最大电源电压 7V 长度 6.6mm 宽度 8mm 高度 1.7mm 可售卖地 全国 型号 IKY140N120CH7 技术参数 品牌: INFINEON 型号: IKY140N120CH7 封装: TO247-4...
英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX/OTCQX代码:IFNNY)推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiCMOSFET2000V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度的需求,而且即使面对严格的高电压和开关频率要求,也不会降低系统可靠性。CoolSiC MOSFET具有更高的直流母线电压,可在不增加电流的情况下提高功率。作为市面上第一款...
BSP88H6327XTSA1 电子元器件 INFINEON 封装PG-SOT223-4 批次22+ ¥ 0.13 商品描述 价格说明 联系我们 咨询底价 品牌: INFINEON 封装: TO247-4-PLUS 批号: 22+ 数量: 1000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -10C 最大工作温度: 130C 最小电源电压: 1.5V 最大电源电...
起订数 10个起批 500个起批 1000个起批 发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 其他集成电路 商品关键词 IKY100N120CH7、 INFINEON、 TO247-4-PLUS 商品图片 商品参数 品牌: INFINEON 封装: TO247-4-PLUS 批号: 22+ 数量: 1000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小...
CoolSiC™ 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package Overview Diagrams Parametrics Documents Order Design Support Support The CoolSiC™ 2000 V 100 mΩ SiC MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package has been designed to offer increased power density without compromis...
【导读】英飞凌科技股份公司推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度的需求,而且即使面对严格的高电压和开关频率要求,也不会降低系统可靠性。 英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiC™ ...
采用TO-247-4-PLUS-HCC封装的CoolSiC™ 2000 V 24 mΩSiC MOSFET,在提高功率密度的同时,可以做到即便在高电压和高开关频率的情况下也不牺牲系统的可靠性。2000 V优化封装中的.XT互连技术,帮助降低了CoolSiC™技术的功耗,从而提高了可靠性。这使其能够帮助组串式逆变器、太阳能发电优化装置和电动汽车充电等...