英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX/OTCQX代码:IFNNY)推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiCMOSFET2000V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度的需求,而且即使面对严格的高电压和开关频率要求,也不会降低系统可靠性。CoolSiC MOSFET具有更高的直流母线电压,可在不增加电流的情况下提高功率。作为市面上第一款...
采用TO-247-4-PLUS-HCC封装的CoolSiC™ 2000 V 12 mΩSiC MOSFET,在提高功率密度的同时,可以做到即便在高电压和高开关频率的情况下也不牺牲系统的可靠性。2000 V优化封装中的.XT互连技术,帮助降低了CoolSiC™技术的功耗,从而提高了可靠性。这使其能够帮助组串式逆变器、太阳能发电优化装置和电动汽车充电等...
采用TO-247-4-PLUS-HCC封装的CoolSiC™ 2000 V 100 mΩ SiC MOSFET,在提高功率密度的同时,可以做到即便在高电压和高开关频率的情况下也不牺牲系统的可靠性。2000 V优化封装中的.XT互连技术,帮助降低了CoolSiC™技术的功耗,从而提高了可靠性。这使其能够帮助组串式逆变器、太阳能发电优化装置和电动汽车充电...
还进行了进一步的测试,以确定TO-247PLUS封装适用于表面贴装器件的极限。满足MSL1存 储条件的产品，在峰值温度245°C及该温度以下回流焊并持续30s，该封装经历了多达2000 次温度循环。图3和图4显示了CSAM的测试结果。没有发现严重的分层或电气故障。这进一 步验证了TO-247PLUS SMD封装改进版的有效性。图3 满足MS...
封装 TO247-4-PLUS 批号 22+ 数量 1000 RoHS 是 产品种类 电子元器件 最小工作温度 -30C 最大工作温度 130C 最小电源电压 4V 最大电源电压 7V 长度 6.6mm 宽度 8mm 高度 1.7mm 可售卖地 全国 型号 IKY140N120CH7 技术参数 品牌: INFINEON 型号: IKY140N120CH7 封装: TO247-4...
封装 TO247-4-PLUS 批号 22+ 数量 1000 RoHS 是 产品种类 电子元器件 最小工作温度 -20C 最大工作温度 90C 最小电源电压 4.5V 最大电源电压 7V 长度 8.7mm 宽度 3.6mm 高度 2.5mm 可售卖地 全国 型号 IKY100N120CH7 技术参数 品牌: INFINEON 型号: IKY100N120CH7 封装: TO247-...
JSAB正式推出采用TO-247Plus-4L封装的1200V-140A IGBT单管,产品型号为 JHY140N120HA。产品外观和内部电路拓扑如下图所示。
英飞凌科技推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度的需求,而且即使面对严格的高电压和开关频率要求,也不会降低系统可靠性。CoolSiC™ MOSFET具有更高的直流母线电压,可在不增加电流的情况下提高功率。作为市面上第一款击穿电压达到2000 V的碳化硅...
BSP88H6327XTSA1 电子元器件 INFINEON 封装PG-SOT223-4 批次22+ ¥ 0.13 商品描述 价格说明 联系我们 咨询底价 品牌: INFINEON 封装: TO247-4-PLUS 批号: 22+ 数量: 1000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -10C 最大工作温度: 130C 最小电源电压: 1.5V 最大电源电...
对于1200V TO-247PLUS-4L IGBT的具体应用,使用较小的Rg可以帮助避免由于过快的关断di/dt引起的电压过冲。 这是因为较小的 Rg 会减慢关断过程,从而降低电压过冲的可能性。 然而,在为特定应用选择最佳 Rg 值时,必须仔细考虑关断速度、电压过冲和其他性能参数之间的权衡。 Like 回复 202 次...