TO-247PLUS SMD是对CAV这些需要高功率密度和可靠的功率半导体的应用来讲是理想的单管封装。该封装能够在DCB上进行回流焊接,不会产生分层。这最大限度地减少了从器件芯片到DCB的热阻。应用测试验证了EDT2 IGBT与EmCon3二极管共同封装在TO-247PLUS SMD中,满足了CAV应用的要求。与系统短路测试相当的堵转测试,器件可在...
TO-247PLUS-3 较高的电流密度实现了以 75 A IGBT 一对一代替 40 A IGBT 的目的,同时保持相同的尺寸和热状态。英飞凌的内部实验室试验表明,在 B6 驱动拓扑中,以采用 TO-247PLUS 封装的 75 A IGBT 代替采用 TO-247-3 封装的 40 A IGBT,输出功率提升了 40%。 现有设计易于升级,可实现更高的功率。重新...
通过直接铜键合(DCB) 安装在水冷散热器上的分立器件是设计工程师可用的一种解决方案,假设分立器件可以像表面贴装器件 (SMD) 一样安装。 TO 247PLUS分立式封装的回流焊 TO-247PLUS是一种理想的封装,可以容纳高功率密度解决方案所需的大型芯片[1]。为了最大限度地提高其热性能,需要从器件芯片到冷却系统具有低热阻。
美格纳的IGBT与MXT MV MOSFET1系列产品为太阳能市场带来了创新的解决方案。韩国首尔，2024年7月29日–Magnachip Mixed-Signal, Ltd.（简称“MMS”或“公司”）今日宣布，已成功研发出1200V 75A绝缘栅双极晶体管（IGBT），采用先进的TO-247PLUS封装，专为太阳能逆变器设计。预计今年十月将启动量产。回顾美格纳在太阳...
申请技术丨TO247PLUS双管双排模组 申报领域丨车规级芯片 独特优势: 传统单管封装绝缘方式采用的是外部绝缘陶瓷片+导热硅脂的形式,工序繁琐,整体热阻偏大。翠展微电子采用创新性的内部绝缘陶瓷片绝缘+外部直接焊接的方式,简化了工序,降低了热阻,提高了整体的功率密度。同时该封装可兼容目前车规主流封装HPD的水冷PINFIN底...
地址 深圳市宝安区福海街道福园一路40号德金工业区B栋3楼 佛山市顺德区北滘镇广教工业大道13号信展通产业园 深圳市信展通电子股份有限公司 公司深耕行业二十余载,拥有稳定资深、经验丰富的技术团队,始终坚持为客户提供优质的产品和服务,致力成为半导体行业的优秀企业。 分享我们 @...
TO-247PLUS-3 较高的电流密度实现了以 75 A IGBT 一对一代替 40 A IGBT 的目的,同时保持相同的尺寸和热状态。英飞凌的内部实验室试验表明,在 B6 驱动拓扑中,以采用 TO-247PLUS 封装的 75 A IGBT 代替采用 TO-247-3 封装的 40 A IGBT,输出功率提升了 40%。 现有设计易于升级,可实现更高的功率。重新...
【导读】英飞凌推出采用TO-247PLUS SMD封装的EDT2工业级分立IGBT,采用750V EDT2 IGBT技术,具有最低的导通损耗和开关损耗,这可以使电动商用车的电池电压达到450Vdc。 120-200A 750V EDT2工业级分立IGBT,采用可回流焊,电阻焊的TO-247PLUS SMD封装 产品型号: ...
英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)进一步壮大1200 V单管IGBT产品组合阵容,推出最高电流达75 A的新产品系列。TO-247PLUS封装同时还集成全额定电流反并联二极管。全新TO-247PLUS 3脚和4脚封装可满足对更高功率密度和更高效率不断增长的需求。需要高功率密度1200
金融界2024年10月22日消息,国家知识产权局信息显示,扬州扬杰电子科技股份有限公司申请一项名为“TO-247plus 框架、封装体及制备方法、装配组件”的专利,公开号 CN 118763066 A,申请日期为 2024 年 6 月。 专利摘要显示,TO‑247plus 框架、封装体及制备方法、装配组件,涉及半导体技术领域。包括芯片放置区、位于框...