金融界2025年4月26日消息，国家知识产权局信息显示，品捷电子（苏州）有限公司申请一项名为“一种车规级TO‑247PLUS内绝缘系列的封装结构”的专利，公开号CN119864333A，申请日期为2025年1月。专利摘要显示，本发明公开了一种车规级TO‑247PLUS内绝缘系列的封装结构，包括内部结构和壳体，所述内部结构包括金属基板...
TO-247PLUS 采用TO-247PLUS 封装,具有高电流密度的 IGBT 与二极管联合封装,采用 TO-247 封装,最高电流密度高达 75A 的 1200 V IGBT 或 120 A 的 600 V IGBT,Rth(jh)降低 20%,散热能力提高 15%,采用快速卡扣式组装。 产品 关闭配置表 比较 分享...
因此,这种封装是回流焊接的理想选择。图2 满足MSL1存储条件的TO-247PLUS单管经过1000次温度循环后的C-SAM 还进行了进一步的测试,以确定TO-247PLUS封装适用于表面贴装器件的极限。满足MSL1存 储条件的产品，在峰值温度245°C及该温度以下回流焊并持续30s，该封装经历了多达2000 次温度循环。图3和图4显示了CSAM的...
TO-247PLUS是一种理想的封装,可以容纳高功率密度解决方案所需的大型芯片[1]。为了最大限度地提高其热性能,需要从器件芯片到冷却系统具有低热阻。一种解决方案是通过DCB将封装背面焊接到水冷散热器上。作为推荐用于波峰焊的标准通孔器件 (THD),对封装进行了改进,以承受回流焊工艺。TO-247PLUS封装的改进版本是根据JED...
采用TO-247PLUS封装的高功率密度单管IGBT 英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)进一步壮大1200 V单管IGBT产品组合阵容,推出最高电流达75 A的新产品系列。TO-247PLUS封装同时还集成全额定电流反并联二极管。全新TO-247PLUS 3脚和4脚封装可满足对更高功率密度和更高效率不断增长的需求。需要高功率密度1200...
to247plus封装流程 TO-247PLUS封装是一种高功率半导体器件的封装形式,通常用于功率开关、放大器和稳压器等应用中。下面是TO-247PLUS封装的制作流程: 1.基板制作:首先需要准备一块玻璃纤维基板,并在其表面涂上一层铜箔,以便后续的线路连接。 2.线路设计:根据器件的电路原理图设计出相应的线路,并将其打印到基板上。
美格纳的IGBT与MXT MV MOSFET1系列产品为太阳能市场带来了创新的解决方案。韩国首尔，2024年7月29日–Magnachip Mixed-Signal, Ltd.（简称“MMS”或“公司”）今日宣布，已成功研发出1200V 75A绝缘栅双极晶体管（IGBT），采用先进的TO-247PLUS封装，专为太阳能逆变器设计。预计今年十月将启动量产。回顾美格纳在太阳...
本发明涉及半导体,尤其涉及to-247plus框架、封装体及制备方法、装配组件。 背景技术: 1、在功率器件产品中,to-247封装应用广泛,目前行业内to-247封装普遍采用的框架结构为带有金属背板的三引脚结构,三个引脚通常称为引脚1、引脚2和引脚3,引脚2与pad相连,pad主要提供散热功能。to-247框架pad上半部分中间有一个半径...
采用TO-247PLUS 3引脚封装的硬开关1200 V 、100 ATRENCHSTOP™ IGBT7H7分立式器件旨在满足低碳的应用需求,例如太阳能光伏、不间断电源和电池充电等。 特征描述 英飞凌知名的TRENCHSTOP™技术带来出色的饱和压降(VCEsat)性能 快速开关行为,具有低EMI辐射
标准TO-247封装需改进以适应回流焊工艺，通过CSAM评估显示，TO-247PLUS在MSL3存储条件下，经过改进后，在245°C以下温度进行30秒回流焊接，效果优于标准封装。图2显示了TO-247PLUS封装经过1000次温度循环后的测试，证明其适合回流焊接。进一步的测试验证了TO-247PLUS封装对于SMD封装的极限。在MSL1条件下，...