1700V SiCMOSFET国产首款针对高压电源应用而开发,具有较高的耐压,极低的栅极电荷,较小的导通电阻Rds(on) ASC100N、40N、5N、1N 1700V碳化硅MOS.pdf 6.2M· 百度网盘 广泛适用于工业电机驱动,光伏,直流充电桩,储能变换器器以及UPS等三相功率变换系统中辅助电源设计,可以提高辅助电源系统效率、简化驱动电路设计,降低...
IRFP90N20DPBF 功率二极管 Infineon英飞凌 封装TO-247 批次22+ IRFP90N20DPBF 6000 Infineon英飞凌 TO-247 22+ ￥3.9900元1~9 ￥2.9900元10~99 ￥1.9900元>=100 深圳市宏诺德电子科技有限公司 3年 -- 立即询价 查看电话 QQ联系 全新MUR3060PT MUR3060 600V 15A TO247 快恢复二极管 MUR3060PTG...
1. 高可靠性:TO-247封装具有良好的散热性能和机械强度,能够确保MOSFET在恶劣的工作环境下稳定运行。 2. 高效率:MOSFET具有快速开关速度和低导通电阻,能够实现高效的能量转换和降低功耗。 3. 易于安装和使用:TO-247封装形式使得MOSFET易于安装到电路板上,并且引脚排列简单明了,方便使用。 三、TO-247封装MO...
2. **太阳能逆变器**: 在太阳能发电系统中,**7N95K3-VB** 可以作为逆变器中的关键组件,帮助实现太阳能电池板到交流电网的能量转换。其稳定的性能和高效的电源管理能力使其成为太阳能应用的理想选择。 3. **工业高压电源**: 在工业自动化和高压电源系统中,这款 MOSFET 可以用于控制和调节高电压和大电流的...
新品CoolSiC™ MOSFET 650V G2, 7mΩ,採用TO247和TO247-4封裝 CoolSiC™ MOSFET 650V G2,7mΩ,採用TO-247和TO-247-4 4引腳封裝,以第1代技術的優勢為基礎,加快了系統設計的成本優化,實現高效、緊湊和可靠解決方案。CoolS
75652G-VB是一款单N沟道功率MOSFET,采用TO247封装。它具有100V的漏源电压和150A的漏电流能力,适合于要求高电压和高电流的应用场合。采用了Trench技术,具有低导通电阻和优异的热特性,能够提供稳定可靠的功率开关解决方案。 ### 75652G-VB MOSFET 详细参数说明 ...
采用TO247PLUS-3pin 封装的1200 V、100 A IGBT7 S7 综述 图表 指标参数 文件 订单 设计支持 支持 硬开关1200 V、100 A TRENCHSTOP™ IGBT7 S7单管器件,采用TO-247封装,提供低饱和压降(VCEsat),可在目标应用中实现超低导通损耗。 特征描述 非常低的饱和压降(Vcesat) 可控性佳 全额定电流续流二极管,特性...
大功率厚膜精密无感电阻器TO-220/247封装RTP35W50W100W 10R 20欧 见描述 8386 上海金呈 -- ￥26.0000元1~-- 件 宿迁云沃信息科技有限公司 3年 -- 立即订购 立即询价 查看电话 WSL220N08 微硕 中压场效应管 封装TO-247 全新原装正品 WSL220N08 3000 微硕 -- ￥6.0000元1~-- 个 深圳市...
封装 TO-247 批号 23+ 数量 9000 制造商 IXYS 产品种类 IGBT 晶体管 RoHS 是 系列 IXXH75N60 单位重量 6 g 可售卖地 全国 型号 IXXH75N60B3D1 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用...
7mΩ,采用TO247和TO247-4封装 CoolSiC MOSFET 650V G2,7mΩ,采用TO-247和TO-247-4 4引脚封装,以第1代技术的优势为基础,加快了系统设计的成本优化,实现高效、紧凑和可靠解决方案。CoolSiC MOSFET第2代在硬开关工况和软开关拓扑的关键性能指标上都有显著改进,适用于所有常见的系统设计。交流-直流、直流-直流...