CoolSiC MOSFET具有更高的直流母线电压,可在不增加电流的情况下提高功率。作为市面上第一款击穿电压达到2000V的碳化硅分立器件,CoolSiC MOSFET采用TO-247PLUS-4-HCC封装,爬电距离为14mm,电气间隙为5.4mm。该半导体器件得益于其较低的开关损耗,适用于太阳能(如组串逆变器)以及储能系统和电动汽车充电应用。 CoolSiC M...
采用TO-247-4-PLUS-HCC封装的CoolSiC™ 2000 V 100 mΩ SiC MOSFET,在提高功率密度的同时,可以做到即便在高电压和高开关频率的情况下也不牺牲系统的可靠性。2000 V优化封装中的.XT互连技术,帮助降低了CoolSiC™技术的功耗,从而提高了可靠性。这使其能够帮助组串式逆变器、太阳能发电优化装置和电动汽车充电...
采用TO-247-4-PLUS-HCC封装的CoolSiC™ 2000 V 24 mΩSiC MOSFET,在提高功率密度的同时,可以做到即便在高电压和高开关频率的情况下也不牺牲系统的可靠性。2000 V优化封装中的.XT互连技术,帮助降低了CoolSiC™技术的功耗,从而提高了可靠性。这使其能够帮助组串式逆变器、太阳能发电优化装置和电动汽车充电等...
【导读】英飞凌科技股份公司推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度的需求,而且即使面对严格的高电压和开关频率要求,也不会降低系统可靠性。 英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiC™ M...
英飞凌科技推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度的需求,而且即使面对严格的高电压和开关频率要求,也不会降低系统可靠性。CoolSiC™ MOSFET具有更高的直流母线电压,可在不增加电流的情况下提高功率。作为市面上第一款击穿电压达到2000 V的碳化硅...
The CoolSiC™ 2000 V 100 mΩ SiC MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package has been designed to offer increased power density without compromising the system’s reliability even under demanding high voltage and switching frequency conditions. The low power losses of CoolSiC™ tec...
The CoolSiC™ 2000 V 100 mΩSiC MOSFETin TO-247PLUS-4-HCC package has been designed to offer increased power density without compromising the system’s reliability even under demanding high voltage and switching frequency conditions. The low power losses ofCoolSiC™ technol...
英飞凌Infineon推新型CoolSiC™MOSFET 英飞凌Infineon的新型CoolSiC™MOSFET 2000 V可在不影响系统可靠性的情况下提高功率密度英飞凌infineon在TO-247PLUS-4-HCC封装中推出了新型CoolSiC™MOSFET 2000 V,以满足设计师对提高功率密度的需求,即使在苛刻的高电压和开关频率条件下也不会影响系统的可靠性。CoolSiC MOSFET...
采用TO-247-4-PLUS-HCC封装的CoolSiC™ 2000 V 12 mΩSiC MOSFET,在提高功率密度的同时,可以做到即便在高电压和高开关频率的情况下也不牺牲系统的可靠性。2000 V优化封装中的.XT互连技术,帮助降低了CoolSiC™技术的功耗,从而提高了可靠性。这使其能够帮助组串式逆变器、太阳能发电优化装置和电动汽车充电等...
采用TO-247-4-PLUS-HCC封装的CoolSiC™ 2000 V 50 mΩ SiC MOSFET,在提高功率密度的同时,可以做到即便在高电压和高开关频率的情况下也不牺牲系统的可靠性。2000 V优化封装中的.XT互连技术,帮助降低了CoolSiC™技术的功耗,从而提高了可靠性。这使其能够帮助组串式逆变器、太阳能发电优化装置和电动汽车充电...