图2 满足MSL1存储条件的TO-247PLUS单管经过1000次温度循环后的C-SAM 还进行了进一步的测试,以确定TO-247PLUS封装适用于表面贴装器件的极限。满足MSL1存 储条件的产品，在峰值温度245°C及该温度以下回流焊并持续30s，该封装经历了多达2000 次温度循环。图3和图4显示了CSAM的测试结果。没有发现严重的分层或电气...
TO-247PLUS 采用TO-247PLUS 封装,具有高电流密度的 IGBT 与二极管联合封装,采用 TO-247 封装,最高电流密度高达 75A 的 1200 V IGBT 或 120 A 的 600 V IGBT,Rth(jh)降低 20%,散热能力提高 15%,采用快速卡扣式组装。 产品 关闭配置表 比较 分享...
TO-247PLUS TO-247PLUSパッケージでの最高電流密度IGBT 最大電流密度が75A、1200VのIGBT、もしくは120A、600VのIGBTが、TO-247PLUSのフットプリントにダイオードと共に封止されており、20%低いRth(jh)、15%高い放熱性、高速クリップアセンブリを実現しています。
TO-247PLUS是一种理想的封装,可以容纳高功率密度解决方案所需的大型芯片[1]。为了最大限度地提高其热性能,需要从器件芯片到冷却系统具有低热阻。一种解决方案是通过DCB将封装背面焊接到水冷散热器上。作为推荐用于波峰焊的标准通孔器件 (THD),对封装进行了改进,以承受回流焊工艺。TO-247PLUS封装的改进版本是根据JED...
TO-247PLUS SMD是对CAV这些需要高功率密度和可靠的功率半导体的应用来讲是理想的单 管封装。该封装能够在DCB上进行回流焊接,不会产生分层。这最大限度地减少了从器件芯 片到 DCB 的热阻。应用测试验证了 EDT2 IGBT 与 EmCon3 二极管共同封装在 TO-247PLUS SMD中,满足了CAV应用的要求。与系统短路测试相当的堵转...
如何将功率器件的发热充分散出去是解决高功率密度设计的关键。通过使用IGBT焊接在双面覆铜陶瓷板(DCB)上可以帮助减少散热系统的热阻,前提是需要IGBT单管封装支持SMD工艺。本文将展示一种可回流焊接的TO-247PLUS单管封装,该封装可将器件芯片到DCB基板的热阻降至最低。
TO-247PLUS SMD是对CAV这些需要高功率密度和可靠的功率半导体的应用来讲是理想的单 管封装。该封装能够在DCB上进行回流焊接,不会产生分层。这最大限度地减少了从器件芯 片到 DCB 的热阻。应用测试验证了 EDT2 IGBT 与 EmCon3 二极管共同封装在 TO-247PLUS SMD中,满足了CAV应用的要求。与系统短路测试相当的堵转...
图2展示了TO-247PLUS封装的改进版在1000次温度循环后的测试结果。芯片顶部、芯片垫片、引脚顶部或芯片焊接层没有分层。因此,这种封装是回流焊接的理想选择。 图2 满足MSL1存储条件的TO-247PLUS单管经过1000次温度循环后的C-SAM 还进行了进一步的测试,以确定TO-247PLUS封装适用于表面贴装器件的极限。满足MSL1存储条...
TO-247PLUS SMD是对CAV这些需要高功率密度和可靠的功率半导体的应用来讲是理想的单 管封装。该封装能够在DCB上进行回流焊接,不会产生分层。这最大限度地减少了从器件芯 片到 DCB 的热阻。应用测试验证了 EDT2 IGBT 与 EmCon3 二极管共同封装在 TO-247PLUS SMD中,满足了CAV应用的要求。与系统短路测试相当的堵转...
下面是TO-247PLUS封装的制作流程: 1.基板制作:首先需要准备一块玻璃纤维基板,并在其表面涂上一层铜箔,以便后续的线路连接。 2.线路设计:根据器件的电路原理图设计出相应的线路,并将其打印到基板上。这个过程包括布线、元件布置与焊接等环节。 3.焊接:将器件的电极按照设计要求通过焊接的方式连接到基板上。焊接通常...