TO-247封装尺寸介于模块与单管之间,能封装大部分的电子元器件,TO247一般为非绝缘封装,TO-247的管子一般用在大功率的POWER中,用作开关管的话,它的耐压和电流会比较大一点。海飞乐技术有限公司的TO247封装在二极管、三极管、MOSFET、IGBT、可控硅、电源模块、整流桥、功率电阻等领域工艺与技术已经趋于完善。 TO-247内...
1 p. UMSB封装尺寸图 1 p. UMB封装尺寸图 1 p. TO277封装尺寸图 1 p. TO-263AB封装尺寸图 1 p. TO-262AA封装尺寸图 1 p. TO252封装尺寸图 1 p. TO-247封装尺寸图 1 p. TO220AB封装尺寸图 1 p. TO-3P封装尺寸图 1 p. SOT89封装尺寸图 关于...
封装 TO-247 批号 22+ 数量 20589 RoHS 是 产品种类 电子元器件 最小工作温度 -50C 最大工作温度 90C 最小电源电压 4V 最大电源电压 9V 长度 8.1mm 宽度 3.1mm 高度 2.2mm 可售卖地 全国 型号 C4D20120D 技术参数 品牌: CREE 型号: C4D20120D 封装: TO-247 批号: 22+ 数量: 20...
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TO247封装作为一种大功率三端封装,广泛用于包括功率MOSFET、各种电力电子设备,包含IGBT和二极管。其设计提升了传热性,提供了足够的电气隔离,变成高可靠性运用的理想选择。 详细说明了包装尺寸图 TO247包装尺寸图增添了详尽的物理规格信息,包含引脚间距、包装长短、宽度和高度。该规格参数针对保证系统正确安装在电路板上,...
封装: TO-247 批号: 22+ 数量: 20589 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: Through Hole 封装/ 箱体: TO-247-3 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 300 V Id-连续漏极电流: 46 A Rds On-漏源导通电阻: 59 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: - 30 ...
标准的TO-247封装不建议用于回 流焊焊接。图2展示了TO-247PLUS封装的改进版在1000次温度循环后的测试结果。芯片顶部、芯片垫 片、引脚顶部或芯片焊接层没有分层。因此,这种封装是回流焊接的理想选择。图2 满足MSL1存储条件的TO-247PLUS单管经过1000次温度循环后的C-SAM还进行了进一步的测试,以确定TO-247PLUS封装...
专营拆机场效应管 W20NM60 TO247封装 实图品牌/商标: ST/意法 型号/规格: W20NM60 20N60 20N60C3 20N60S5 种类: 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型: N沟道 导电方式: 增强型 用途: HG/高跨导 封装外形: CER-DIP/陶瓷直插 材料: GE-N-FET锗N沟道 汕头市欧讯电子:专营控制器MOS管P75NF75 80NF70 75NF68...
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