高功率、高效率就意味着需要更低导通电阻的MOSFET,目前TO-247封装是高功率充电机、充电桩电源模块应用中使用最多的封装形式。但常规TO-247封装框架和漏极直接相连,非绝缘特性使得应用的时候必须外部安装绝缘片,复杂的生产过程容易造成外部绝缘片破裂,导致绝缘强度下降甚至短路,使得产品整体可靠性下降。 图1 常规TO-247...
VDS=80VID=120ARDS(ON)<5.2mΩ@VGS=10V封装TO-247 电源用NMOS 120N08的应用领域: 电池保护负载开关UPS 不间断电源 电源用NMOS 120N08的极限值: (如无特殊说明,TC=25℃) 电源用NMOS 120N08的电特性: (如无特殊说明,TJ=25℃) 电源用NMOS 120N08的参数特性曲线图: 电源用NMOS 120N08的封装外形尺寸图...
同时,通过关断时的波形可以看出,TO-247封装产品(浅蓝色实线)的开关损耗为2100J,TO-247-4L封装产品(红色实线)为1450J,开关损耗降低约30%。 3、有助于抑制栅极振荡。 相比于TO-247-3L,由于TO-247-4L封装中寄生电感的减小,其栅极振荡幅度更小。以下是600V/21mΩ产品实测数据和开关波形对比图。 总结一下 综...
随着MOSFET开关速度的加快,封装中的源级焊线产生的寄生电感,对开关速度产生不利的影响愈发严重,TO-247-4L封装,能够对栅极驱动的信号源端子进行Kelvin连接,从而减小封装中源极线的电感。进一步提高整个系统的效率,使器件能够在较低的温度下工作。图3为TO-247-3L与TO-247-4L封装对比图,图4为TO-247-3L与TO-247...
一、TO-247-3与TO-247-4两种封装类型介绍 传统的TO-247-3封装的MOSFET类型如上图1所示,其管脚由栅极、漏极和源极构成。从应用角度来看,驱动回路和功率回路共用了源极的管脚。MOSFET是一个电压型控制的开关器件,其开通关断行为由施加在栅极和源极之间的电压(通常称之为VGS)来决定。
电阻精度: ±0.25% 典型温飘: ±50ppm/°C 尺寸: TO-218/ TO-247 安装方式: 穿孔 电阻技术: 金属箔 工作温度范围: -40℃~130℃ 一. 实物图 二. 特点 阻值:0.002Ω~20Ω 功率可达30W 精度低至±0.25% TCR≤±50ppm/K 负载稳定性为0.1% TO-218 (TO-247)封装 可加装散热片 三. 应用 高速开关式...
本文主要对TOLL及TO-247-4L封装外形进行简单介绍。 一、TOLL封装外形 TOLL(TransistorOutline Leadless) 封装外形由于其具有小体积、低封装电阻、低寄生电感、低热阻、高电流等特点,已经在电动自行车、电动摩托车、锂电保护、通信电源等终端客户得到广泛使用。图1为TOLL封装外形及内部示意图。
TO-247封装尺寸介于模块与单管之间,能封装大部分的电子元器件,TO247一般为非绝缘封装,TO-247的管子一般用在大功率的POWER中,用作开关管的话,它的耐压和电流会比较大一点。海飞乐技术有限公司的TO247封装在二极管、三极管、MOSFET、IGBT、可控硅、电源模块、整流桥、功率电阻等领域工艺与技术已经趋于完善。
TO-247封装尺寸介于模块与单管之间,能封装大部分的电子元器件,TO247一般为非绝缘封装,TO-247的管子一般用在大功率的POWER中,用作开关管的话,它的耐压和电流会比较大一点。TO247封装在二极管、三极管、MOSFET、IGBT、可控硅、电源模块、整流桥、功率电阻等领域工艺与技术已经趋于完善。