高功率、高效率就意味着需要更低导通电阻的MOSFET,目前TO-247封装是高功率充电机、充电桩电源模块应用中使用最多的封装形式。但常规TO-247封装框架和漏极直接相连,非绝缘特性使得应用的时候必须外部安装绝缘片,复杂的生产过程容易造成外部绝缘片破裂,导致绝缘强度下降甚至短路,使得产品整体可靠性下降。 图1 常规TO-247...
新推出的TO-247 4pin封装有一个额外的管脚连接到IGBT的发射极，在图中标为E2。该管脚用于连接栅极驱动器，也被称为开尔文发射极，这个引脚不受来自功率回路的电压衰减影响，来自IGBT集电极的电流完全由功率发射器引线E1传导。TO-247 4pin封装的另一个特点是引脚输出排布，它与标准的TO-247-3不同，这样做是为了保持...
TO-247封装尺寸介于模块与单管之间,能封装大部分的电子元器件,TO247一般为非绝缘封装,TO-247的管子一般用在大功率的POWER中,用作开关管的话,它的耐压和电流会比较大一点。海飞乐技术有限公司的TO247封装在二极管、三极管、MOSFET、IGBT、可控硅、电源模块、整流桥、功率电阻等领域工艺与技术已经趋于完善。 TO-247内...
TO-247封装尺寸介于模块与单管之间,能封装大部分的电子元器件,TO247一般为非绝缘封装,TO-247的管子一般用在大功率的POWER中,用作开关管的话,它的耐压和电流会比较大一点。TO247封装在二极管、三极管、MOSFET、IGBT、可控硅、电源模块、整流桥、功率电阻等领域工艺与技术已经趋于完善。 TO-247内部构造图 TO-247-3L...
图1 传统TO-247-3封装的MOSFET类型 传统的TO-247-3封装的MOSFET类型如图1所示，其管脚由栅极、漏极和源极构成。从应用角度来看，驱动回路和功率回路共用了源极的管脚。MOSFET是一个电压型控制的开关器件，其开通关断行为由施加在栅极和源极之间的电压（通常称之为VGS）来决定。从图1模型来看，有几个参数是我们...
新推出的TO-247 4pin封装有一个额外的管脚连接到IGBT的发射极,在图中标为E2。该管脚用于连接栅极驱动器,也被称为开尔文发射极,这个引脚不受来自功率回路的电压衰减影响,来自IGBT集电极的电流完全由功率发射器引线E1传导。 TO-247 4pin封装的另一个特点是引脚输出排布,它与标准的TO-247-3不同,这样做是为了保持高压...
英飞凌提供 TO-247 4 引脚 与600 V 和 650 V CoolMOS™ C7超结 (SJ)MOSFET相结合。通过600 V CoolMOS™ P6超结 MOSFET,英飞凌推出了标准 TO-247 4 引脚封装的改进版本。TO-247 4 引脚带有非对称引线,可以增加关键引线之间爬电距离,使得波峰焊接更加顺畅,并降低电路板的产量损失。
下面以基本半导体推出的1200V 80mΩ的碳化硅MOSFET两种封装的典型产品B1M080120HC(TO-247-3)和B1M080120HK(TO-247-4)为例,从理论上来解释TO-247-4中辅助源极管脚的技术逻辑,并解释两者开关损耗的差别。 (1)开通过程分析 图7 MOSFET开通过程分析
尺寸: TO-218/ TO-247 安装方式: 穿孔 电阻技术: 金属箔 工作温度范围: -40℃~130℃ 一. 实物图 二. 特点 阻值:0.002Ω~20Ω 功率可达30W 精度低至±0.25% TCR≤±50ppm/K 负载稳定性为0.1% TO-218 (TO-247)封装 可加装散热片 三. 应用 高速开关式电源 缓冲电路 脉冲发生器的负载电阻 电压调整...
为了大大减少开通损耗,英飞凌为TRENCHSTOP™ 5系列的器件引入了TO-247 4pin封装。这种封装多了一个额外的发射极引脚,称为开尔文发射极,专门用于驱动回路。通过开尔文发射极管脚配置,即使仍然使用相同的续流二极管,开关速度可以进一步提高,IGBT和二极管的损耗都会减少。因此采用TO-247 4pin增加了整个...