高功率、高效率就意味着需要更低导通电阻的MOSFET,目前TO-247封装是高功率充电机、充电桩电源模块应用中使用最多的封装形式。但常规TO-247封装框架和漏极直接相连,非绝缘特性使得应用的时候必须外部安装绝缘片,复杂的生产过程容易造成外部绝缘片破裂,导致绝缘强度下降甚至短路,使得产品整体可靠性下降。 图1 常规TO-247...
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新推出的TO-247 4pin封装有一个额外的管脚连接到IGBT的发射极，在图中标为E2。该管脚用于连接栅极驱动器，也被称为开尔文发射极，这个引脚不受来自功率回路的电压衰减影响，来自IGBT集电极的电流完全由功率发射器引线E1传导。TO-247 4pin封装的另一个特点是引脚输出排布，它与标准的TO-247-3不同，这样做是为了保持...
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引入了辅助源极管脚成为TO-247-4封装的碳化硅MOSFET,避免了驱动回路和功率回路共用源极线路,实现了这两个回路的解耦。同时,TO-247-4封装的开关器件由于没有来自功率源极造成的栅极电压衰减,使得碳化硅MOSFET(TO-247-4封装)的开关速度会比TO-247-3封装的更快,开关损耗更小。