与TSV这一概念相对的，在玻璃基板上制造的通孔也被称为玻璃通孔(throughglassvia,TGV)。基于IPD与TGV工艺制造的三维电感器照片如下图所示，由于玻璃衬底的电阻率远高于Si等常规半导体材料，因此TGV三维电感器具有更优异的绝缘特性，在高频下衬底寄生效应所造成的插入损耗要远小于常规TSV三维电感器。另一方面，还可在玻...
TGV 技术可以与现有的半导体制造工艺,如 CMOS(互补金属 - 氧化物 - 半导体)工艺等兼容。这意味着在芯片制造过程中,可以将 TGV 技术融入到现有的工艺流程中,无需对整个制造工艺进行大规模的改造,降低了技术应用的成本和难度。 TGV 技术的应用领域 (一)射频芯片 在射频(RF)芯片领域,TGV 技术有着广泛的应用。例如...
TGV的金属化主要包括有制备金属种子层和电镀填孔两个部分,其中电镀填孔主要与孔的形状、施加电流类型以及镀液内的添加剂成分有着较强的关联性。 制备金属种子层则是TGV实现三维互连的关键技术之一,一方面金属种子层是导电层进行电镀的基础,缺失了种子层的位置无法导电...
2008年，美国Michigan大学提出了的一种基于常规工艺TGV技术的圆片级真空封装方案，如下图所示。该方案由封帽，器件层以及基于常规工艺TGV技术衬底三部分构成。封帽可以为硅或玻璃，制作有空腔；器件层是硅结构层。基于常规工艺TGV技术衬底是在玻璃片上制作电极和通孔，通孔表面沉积有金属层，有的通孔填充焊锡球，用以...
先进封装在半导体产业的比重稳步提升,其发展与通孔互连技术的演进和加工精度的提高息息相关。在高密度、高集成度先进电子系统时代,实现高性能 SiP 和 AiP 应用的中介层和基板至关重要。 玻璃通孔 (TGV)为具有挑战性且昂贵的硅技术提供了一种成本更低、损耗更低的替代方案。面向未来,TGV基板将在3D集成半导体封装广...
在先进封装领域中,无论是2.5D封装中的interposer 还是3D封装中都要用到TSV,但是最近很多人都听说玻璃通孔(Through Glass Via,TGV)这个词。玻璃通孔(TGV)潜能巨大,未来可能将是先进封装技术中的常客。本文将简要描述玻璃通孔(TGV)在先进封装的应用及发展趋势以及工艺简介。
“简单来说,TGV就是在玻璃上打孔、填充和上下互联,以玻璃为楼板构建集成电路的 高楼大厦”。该技术被认为是下一代3D封装的关键技术,玻璃是一种可能替代硅基转接板的 材料,与硅通孔(TSV)相比,TGV具有低成本、大尺寸超薄玻璃衬底易获取、高频电学性 能优异等特点。
TGV 基板是结合激光和蚀刻技术制造的。激光对玻璃进行改良,从而弱化预定义区域的结构。它可以提高这些改良区域相比周围材料的蚀刻率。这个过程被称为激光诱导蚀刻。该过程不会在玻璃上产生任何裂缝,并可在材料中产生盲孔和通孔。先进的激光加工和蚀刻技术能够建立非常高的纵横比。典型的过孔直径为 20 - 100 微米,典型...
随着晶圆代工制程不断缩小，摩尔定律逼近极限，先进封装是后摩尔时代的必然选择。其中，利用高端封装融合最新和成熟节点，采用系统封装(SiP)和基于小芯片的方法，设计和制造最新的SoC产品已经成为主要的技术路径。2.5D/3D封装正在加速3D互连密度的技术突破，TSV及TGV的技术作为2.5D/3D封装的核心技术，越来越受到重视。一...