与TSV这一概念相对的，在玻璃基板上制造的通孔也被称为玻璃通孔(throughglassvia,TGV)。基于IPD与TGV工艺制造的三维电感器照片如下图所示，由于玻璃衬底的电阻率远高于Si等常规半导体材料，因此TGV三维电感器具有更优异的绝缘特性，在高频下衬底寄生效应所造成的插入损耗要远小于常规TSV三维电感器。另一方面，还可在玻...
TGV的金属化主要包括有制备金属种子层和电镀填孔两个部分,其中电镀填孔主要与孔的形状、施加电流类型以及镀液内的添加剂成分有着较强的关联性。 制备金属种子层则是TGV实现三维互连的关键技术之一,一方面金属种子层是导电层进行电镀的基础,缺失了种子层的位置无法导电...
2008年，美国Michigan大学提出了的一种基于常规工艺TGV技术的圆片级真空封装方案，如下图所示。该方案由封帽，器件层以及基于常规工艺TGV技术衬底三部分构成。封帽可以为硅或玻璃，制作有空腔；器件层是硅结构层。基于常规工艺TGV技术衬底是在玻璃片上制作电极和通孔，通孔表面沉积有金属层，有的通孔填充焊锡球，用以...
在2024年下半年,TGV企业布局有加速现象! 玻璃通孔(Through-Glass Via, TGV)互连技术最早可追溯至2008年, 衍生于2.5D/3D集成TSV转接板技术, 主要用来解决TSV转接板由于硅衬底损耗带来高频或高速信号传输特性退化、材料成本高与工艺复杂等问题。近年来技术日趋完善。各家头部公司开始布局,并生产出一些样品应用于不同的...
TGV 基板是结合激光和蚀刻技术制造的。激光对玻璃进行改良,从而弱化预定义区域的结构。它可以提高这些改良区域相比周围材料的蚀刻率。这个过程被称为激光诱导蚀刻。该过程不会在玻璃上产生任何裂缝,并可在材料中产生盲孔和通孔。先进的激光加工和蚀刻技术能够建立非常高的纵横比。典型的过孔直径为 20 - 100 微米,典型...
随着芯片向三维集成方向发展,TGV 技术成为了实现不同芯片层之间高效互连的关键技术之一。通过在玻璃中介层上制作 TGV,可以将多个芯片堆叠在一起,并实现它们之间的高速通信。这种三维集成方式可以大大提高芯片的性能和功能密度,为人工智能芯片、高性能计算芯片等的发展提供了新的途径。
“简单来说,TGV就是在玻璃上打孔、填充和上下互联,以玻璃为楼板构建集成电路的 高楼大厦”。该技术被认为是下一代3D封装的关键技术,玻璃是一种可能替代硅基转接板的 材料,与硅通孔(TSV)相比,TGV具有低成本、大尺寸超薄玻璃衬底易获取、高频电学性 能优异等特点。
图1 基于TGV技术的传感器玻璃的参数 1. 运动传感器 运动传感器通常用于运动检测和加速度测量。芯片需要足够的抗冲击性来保护内部微结构。玻璃具有很强的机械性能,可以提高传感器的抗冲击性。TGV技术在运动传感应用方面具有巨大的潜力。 Ma等采用玻璃转接板作为顶盖解决了TSV技术的应力问题,构建了一种基于体硅工艺的MEMS...
随着晶圆代工制程不断缩小，摩尔定律逼近极限，先进封装是后摩尔时代的必然选择。其中，利用高端封装融合最新和成熟节点，采用系统封装(SiP)和基于小芯片的方法，设计和制造最新的SoC产品已经成为主要的技术路径。2.5D/3D封装正在加速3D互连密度的技术突破，TSV及TGV的技术作为2.5D/3D封装的核心技术，越来越受到重视。一...