Qorvo's TGF3020-SM is a 5W (P3dB), 50 ohm-input matched discrete GaN on SiC HEMT which operates from 4.0 to 6.0 GHz. The integrated input matching network enables wideband gain and power performance, while the output can be matched on board to optimize power and efficiency for any ...
型号 TGF3020-SM 技术参数 品牌: QORVO 型号: TGF3020-SM 封装: QFN 批号: 21+ 数量: 136 制造商: Qorvo 产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RoHS: 是 封装/ 箱体: QFN-16 湿度敏感性: Yes 零件号别名: 1121726 PDF资料 集成电路-其他集成电路-TGF3020-SM-QORVO-QFN-21+.pdf...
TGF3020-SMEVBP01 2Mb / 24P 4 ??6 GHz, 32 V, 5 W GaN RF Input-Matched Transistor More results 类似说明 - TGF3020-SM 制造商 部件名 数据表 功能描述 TriQuint Semiconductor T1G3000532-SM 1Mb / 21P 5W, 32V, 0.03 ??3.5 GHz, GaN RF Input-Matched Transistor TGF2965-SM 2Mb / 23P...
TGF3020-SM 产品简介 Qorvo 的 TGF3020-SM 是一款 5W (P3dB)、50 欧姆输入匹配的基于 SiC HEMT 的分立式 GaN,工作频率范围为 4.0 至 6.0 GHz。集成输入匹配网络可实现宽带增益和功率性能,而输出可在板上匹配以优化频带内任何区域的功率和效率。
型号 TGF3020-SM PDF资料 射频器件-RF其它IC和模块-TGF3020-SM-Qorvo -SMD-19+.pdf 下载 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上...
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TGF3020-SMEVBP01 概述 4 â 6 GHz, 32 V, 5 W GaN RF Input-Matched Transistor TGF3020-SMEVBP01 数据手册 通过下载TGF3020-SMEVBP01数据手册来全面了解它。这个PDF文档包含了所有必要的细节,如产品概述、功能特性、引脚定义、引脚排列图等信息。 PDF下载 TGF3020-SM 4– 6 GHz, 32 V,...
制造商 QORVO 唯样编号 C-TGF3020-SM 供货 海外代购M 代购 无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs 描述 分享: 数据手册 PDF资料下载 暂无数据 参数信息 常见问题 参数有误? 技巧:勾选主要参数,留空一些可替代的参数,点击查看相似商品,即可快速找到替代品了! 参数参数值操作 商品目录 未分类 查看相似商品 库...
High Efficiency GaN: TGF3020-SMRFMW Ltd
GoodDatasheet提供了TGF3020-SM规格参数信息和TGF3020-SM的供应商信息(地址、联系电话、联系人)可免费索样,这里还提供了TGF3020-SM及相关型号的PDF资料、生产厂商、功能描述、图片等信息,这里还有TGF3020-SM相关型号信息。