型号: TGF3015-SM 封装: QFN 批号: 21+ 数量: 135 制造商: Qorvo 产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 RoHS: 是 晶体管类型: HEMT 技术: GaN SiC 增益: 17.1 dB 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 32 V Vgs-栅源极击穿电压 : - 2.7 V Id-连续漏极电流: 557 mA 输出功率...
TGF3015-SM 产品简介Qorvo 的 TGF3015-SM 是一款 10W (P3dB)、50 欧姆输入匹配的基于 SiC HEMT 的分立式 GaN,工作频率范围为 30 MHz 至 3.0 GHz。集成输入匹配网络可实现宽带增益和功率性能,而输出可在板上匹配以优化频带内任何区域的功率和效率。该设备采用行业标准的 3 x 3 毫米封装,可节省本已空间受限...
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部件名TGF3015-SM 下载TGF3015-SM下载 文件大小1923.63 Kbytes 页21 Pages 制造商TRIQUINT [TriQuint Semiconductor] 网页http://www.triquint.com 标志 功能描述10W,32V,0.03??3GHz,GaNRFInput-MatchedTransistor 类似零件编号 - TGF3015-SM 制造商部件名数据表功能描述 ...
部件名TGF3015-SM_15 下载TGF3015-SM下载 文件大小1923.63 Kbytes 页21 Pages 制造商TRIQUINT [TriQuint Semiconductor] 网页http://www.triquint.com 标志 功能描述10W,32V,0.03??3GHz,GaNRFInput-MatchedTransistor 类似零件编号 - TGF3015-SM_15 制造商部件名数据表功能描述 ...
RF Input-Matched Transistor: TGF3015-SMRichardson RFPD Inc