产品简介Qorvo 的 TGF2977-SM 是一款 5 W (P3dB) 宽带无可比拟的基于 SiC HEMT 的分立式 GaN,可在 DC 至 12 GHz 和 32V 电源轨下运行。该器件采用行业标准 3x3mm QFN 封装,非常适合军用和民用雷达、陆地移动和军…
TGF2977-SM 产品简介Qorvo 的 TGF2977-SM 是一款 5 W (P3dB) 宽带无可比拟的基于 SiC HEMT 的分立式 GaN,可在 DC 至 12 GHz 和 32V 电源轨下运行。该器件采用行业标准 3x3mm QFN 封装,非常适合军用和民用雷达、陆地移动和军用无线电通信、航空电子设备和测试仪器。该设备可以支持脉冲和线性操作。 产品规...
制造商编号TGF2977-SM 制造商QORVO 唯样编号C-TGF2977-SM 供货海外代购M代购 无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs 描述 数据手册 PDF资料下载 暂无数据 参数信息常见问题 参数有误? 技巧:勾选主要参数,留空一些可替代的参数,点击查看相似商品,即可快速找到替代品了!
迪诺仑赛注射液(RC19D2)是永泰生物基于其独立拥有的免疫细胞药物研发平台开发的一款同时靶向CD19和TGF-β的CAR-T疗法,具备识别和杀伤表达CD19分子靶细胞能力并拮抗TGF-β信号的功能,可延长体内CAR-T细胞存活时间并促进CAR-T细胞浸润。其特性有...
Plastic GaN Transistor: TGF2977-SMRFMW Ltd
TGF2977-SM RF Transistor by Qorvo (103 more products) Download Datasheet Request Quote The TGF2977-SM from Qorvo is a GaN on SiC HEMT transistor that operates from DC to 12 GHz. It provides up to 6 W of power with a linear gain of 13 dB and efficiency of 50%. The HEMT power...