Qorvo 的 TGF2929-FL 是一款 100 W (P3dB) 宽带输入预匹配分立式 GaN on SiC HEMT,可在 DC 至 3.5 GHz 和 28V 电源轨范围内工作。该器件采用行业标准气腔封装,非常适用于军用和民用雷达、陆地移动和军用无线电通信、航空电子设备和测试仪器。该设备可以支持脉冲和线性操作。 产品规格 最低频率(MHz) 直流电...
TGF2929-FL通过其高功率、高效率和紧凑的封装设计,有效解决了这些问题,帮助客户在设计中实现更高的性能和更好的用户体验。 结论 综上所述,TGF2929-FL作为一款高性能的100瓦GaN on SiC RF晶体管,凭借其卓越的技术参数和广泛的应用领域,成为现代雷达、干扰器和通信系统中不可或缺的组件。无论是在雷达系统、电子干...
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 其他集成电路 商品关键词 TGF2929-FL、 QORVO、 QFN 商品图片 商品参数 品牌: QORVO 封装: QFN 批号: 21+ 数量: 132 制造商: Qorvo 产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET) RoHS: 是 晶体管极性: N-Channel 技术: GaN...
TGF2977-SM Qorvo GS-065-060-5-B-A-MR GaN Systems GS-065-004-1-L-TR GaN Systems QPD1016L Qorvo GS-065-011-1-L-TR GaN Systems T2G6000528-Q3 Qorvo QPD1022SR Qorvo TGF3021-SM Qorvo TGF2929-FL Qorvo GS66502B-MR GaN Systems TGF3020-SM Qorvo TP65H480G4JSG-TR Transphorm QPD0020...
TGF2929-FL 产品简介Qorvo 的 TGF2929-FL 是一款 100 W (P3dB) 宽带输入预匹配分立式 GaN on SiC HEMT,可在 DC 至 3.5 GHz 和 28V 电源轨范围内工作。该器件采用行业标准气腔封装,非常适用于军用和民用雷达、陆地移动和军用无线电通信、航空电子设备和测试仪器。该设备可以支持脉冲和线性操作。 产品规格最...
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Two GaN RF Power Transistors: TGF2929-FL and TGF2929-FSRichardson RFPD Inc
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