二、气体携带teos源pecvd法的原理 2.1 PECVD工艺简介 2.2 TEOS的特性和使用 2.3 气体携带teos源PECVD法的原理 三、气体携带teos源PECVD法制备二氧化硅膜的步骤 3.1 基底准备 3.2 清洗和预处理 3.3 蒸发器设置和气体混合比例 3.4 PECVD沉积过程 3.4.1 气氛条件 3.4.2 温度和压力 3.4.3 沉积速率和时间 3.4.4 其...
该方法的基本原理是,将TEOS(四乙氧基硅烷)作为前驱体,通过气体携带的方式将其引入反应室中,然后通过PECVD(等离子体增强化学气相沉积)技术,在基片表面沉积出二氧化硅膜。在反应过程中,TEOS分解产生的SiO2沉积在基片表面,同时产生的乙醇和乙烯等有机物则通过气体携带的方式排出反应室。 该方法的优点在于,TEOS是一种低毒...
K. TEOS-PECVD system for high growth rate deposition of SiO2 films. Vacuum, March 2005, vol. 79, p. 194-202.A.M. Mahajan, L.S. Patil, J.P. Bange, D.K. Gautam, TEOS-PECVD system for high growth rate deposition of SiO2 film, J. Vacuum, 79 (2005), 194-202....
1.取用TEOS的PECVD制备纳米涂层的方法,其特征在于,它包括如下步骤: (O以纺织材料为基材,将其放置于PECVD镀膜设备的反应室的平行电极板之间; (2)将反应室抽真空至30-150mT,通入惰性气体,惰性气体流量为200-300sccm,开启射频电源,调整功率为100-200W,在电极之间产生等离子体轰击基材表面,进行清洁和活化处理; (3)...
CVD法采用TEOS-O-%2c3-沉积二氧化硅膜 CVD法采用TEOS-O<,3>沉积二氧化硅膜 《热生长二氧化硅膜》课件 在CH_4_H_2微波等离子体中添加H_2O对大面积金刚石膜生长的研究 DMSO、DMF和H_2O体系相平衡数据的测定和预测 PECVD法低温制备二氧化硅薄膜 比较2种溅射方法镀制的氧化硅薄膜.pdf 二氧化硅和硅酸() 碳化硅-...
Combining TEOS-PECVD technigue With high-temperatureannealing,Wehavedeveloped a SiO2 thickfilm depositiontechnigue,WithWhich,a 15-pm-thick SiO2 film has been successfully de- posited on theSisubstrate.Thecross-section of thickSiO2 isshoWnintheFig.6.Thedepositionof SiO2 thickfilm isoftenusedinthe...
以正硅酸乙酯(TEOS)为源,通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法制备所得的二氧化硅膜较传统工艺,提供了更好的台阶覆盖,同时也更为安全.在集成电路晶圆制造产线中,通常使用载气携带TEOS源进入反应腔室,虽然载气可通过气体流量计来控制,但实际进入反应腔室的TEOS量难以精确控制并且不易测量,因此二氧化硅膜的沉积速率不...
摘要: Silicon dioxide films deposited from tetraethylorthosilicate (TEOS) using plasma-enhanced chemical vapour deposition (PECVD) are reviewed.The effect of the presence of oxygen on th... 查看全部>>关键词:TEOS silicon dioxide PECVD microwave plasma thin films ...
急求TEOS为源的PECVD沉积二氧化硅的地方。
因此,TEOS化学气相沈积氧化层加上N2O快速加热氮化技术可取代传统高温热氧化层且进一步应用于各式低温MOS 超大型积体电路制程.In this thesis, we deposited TEOS oxides by a plasma-enhanced chemical vapor deposition system (PECVD) onto the singlecrystalline and the polycrystalline silicon films with the aid ...