硅源气体可以是SiH4(硅烷)或TEOS(四乙氧基硅烷),而氧化气体通常是O2(氧气)。气体流量的控制非常重要,它会影响薄膜的厚度和均匀性。过高的气体流量可能导致薄膜失去均匀性,过低的气体流量则可能导致薄膜太薄或无法形成。 2. 反应压力:PECVD过程中的反应压力也是一个重要参数。过高的压力可能导致薄膜中存在气孔或缺陷...
2.1 PECVD工艺简介 2.2 TEOS的特性和使用 2.3 气体携带teos源PECVD法的原理 三、气体携带teos源PECVD法制备二氧化硅膜的步骤 3.1 基底准备 3.2 清洗和预处理 3.3 蒸发器设置和气体混合比例 3.4 PECVD沉积过程 3.4.1 气氛条件 3.4.2 温度和压力 3.4.3 沉积速率和时间 3.4.4 其他参数控制 四、影响二氧化硅膜性质...
teos工艺 低压沉淀钝化工艺 pecvd工艺 pecvd氧化工艺 pecvd氮化工艺 pecvd氮氧化工艺 特征及优势 多达4个并列石英或sic管反应腔体【Zui多可达到300mm】 有可自由选择工艺的腔体 全自动cassette-to-cassette传片,wafer直径Zui大可达200mm 先进的晶圆冷却系统:不同管道间没有热干扰,没有对室内洁净空气的消耗 ...
2. 根据权利要求1所述的低应力变化的PECVD二氧化硅薄膜的制备方法,其特征在于: 所述反应气体为SiH4和经汽化的TEOS。【专利摘要】本发明涉及一种低应力变化PECVD二氧化硅薄膜的制备方法,该方法改进了一般的PECVD二氧化硅薄膜沉积工艺,通过在常规沉积温度400℃下,采用低气体流量60～70sccm及高射频功率300～400W的方式沉积...
二、工艺参数 1. 前驱体气体:常用的SiO2前驱体气体有TEOS(四乙氧基硅烷)和SiH4(硅烷)等。不同的前驱体气体会影响薄膜的化学组成和物理性质。 2. 气体流量:控制前驱体气体的流量可以调节沉积速率和薄膜厚度。 3. 气体比例:混合气体中各种气体的比例会对薄膜的化学组成和性质产生影响。 4. 沉积温度:温度对薄膜的...
喷头可在沉积工艺期间维持在第一温度。方法可进一步包括当第一电压增大至第二电压时,将半导体基板重新定位至距喷头第二距离处。第二距离可大于第一距离。第二距离可比第一距离大超过25%。沉积工艺可包括使用正硅酸四乙酯来沉积氧化硅。 3、本发明技术的一些实施例可涵盖沉积方法。所述方法可包括在半导体处理腔室的...
通常采用电阻丝加热器或激光加热器对基片进行加热,提高基片温度至几百摄氏度。 然后是沉积步骤。沉积是将所需的薄膜材料通过化学反应在基片表面沉积成薄膜。PECVD使用的气体一般包括有机硅化合物(如SiH4、TEOS)和载气(如氮气、氢气),还可以加入掺杂气体(如Dopant)来制备掺杂材料。在高压和高频交流电场的作用下,气体...
例如,pecvd反应是用teos和/或硅烷进行的。已经发现teos和硅烷反应物在进行pecvd反应中特别有用。通常,上述在peald反应物部分中列出的反应物可以用于pecvd反应中。然而,在一些实施方案中,反应物与用于pecvd的teos或硅烷和用于peald的氨基硅烷不同。 37.在从peald转换到pecvd的处理中,在一些实施方案中,可以降低rf功率...
采用TEOS源CVD技术生长SiO2,其膜厚度均匀(±1.5%,2英寸衬底);折射率可控制在1.453±0.001内,折射率稳定,且退火后不会改变;与高温退火技术相结合,可进行厚膜生长。整个生长工艺与硅工艺兼容。 附图说明 图1是TESO PECVD SiO2-生长系统结构图。 图2是氧化硅生长速率随衬底温度的变化。 图3是生长氧化硅的折射率随...
在等离子激发条件下,进行了SiO_2,和SiON介质薄膜生长实验,研究了沉积参数射频功率,反应压力,反应气体流量比及总流量,反应温度对沉积薄膜的生长速率,均匀性和折射率的... 周均,Hille.,U - 《微电子学》 被引量: 0发表: 1995年 InP表面等离子体CVD淀积SiO_2膜的界面结构及C-V特性 报道了以正硅酸乙酯(TEOS)...