等离子体中的高能粒子会促进前驱体分子分解，生成Si-O-Si链，进而形成二氧化硅膜层。在整个过程中，温度控制在300-450摄氏度之间，以确保沉积速率和膜层质量。而对于氮化硅膜层，工艺流程则有所不同。首先，基板也需要进行清洁处理，然后将氨气和硅烷气体引入反应室。射频电源开启后，等离子体中的高能粒子...
2.1 PECVD工艺简介 2.2 TEOS的特性和使用 2.3 气体携带teos源PECVD法的原理 三、气体携带teos源PECVD法制备二氧化硅膜的步骤 3.1 基底准备 3.2 清洗和预处理 3.3 蒸发器设置和气体混合比例 3.4 PECVD沉积过程 3.4.1 气氛条件 3.4.2 温度和压力 3.4.3 沉积速率和时间 3.4.4 其他参数控制 四、影响二氧化硅膜性质...
硅源气体可以是SiH4(硅烷)或TEOS(四乙氧基硅烷),而氧化气体通常是O2(氧气)。气体流量的控制非常重要,它会影响薄膜的厚度和均匀性。过高的气体流量可能导致薄膜失去均匀性,过低的气体流量则可能导致薄膜太薄或无法形成。 2. 反应压力:PECVD过程中的反应压力也是一个重要参数。过高的压力可能导致薄膜中存在气孔或缺陷...
teos工艺 低压沉淀钝化工艺 pecvd工艺 pecvd氧化工艺 pecvd氮化工艺 pecvd氮氧化工艺 特征及优势 多达4个并列石英或sic管反应腔体【Zui多可达到300mm】 有可自由选择工艺的腔体 全自动cassette-to-cassette传片,wafer直径Zui大可达200mm 先进的晶圆冷却系统:不同管道间没有热干扰,没有对室内洁净空气的消耗 ...
二、工艺参数 1. 前驱体气体:常用的SiO2前驱体气体有TEOS(四乙氧基硅烷)和SiH4(硅烷)等。不同的前驱体气体会影响薄膜的化学组成和物理性质。 2. 气体流量:控制前驱体气体的流量可以调节沉积速率和薄膜厚度。 3. 气体比例:混合气体中各种气体的比例会对薄膜的化学组成和性质产生影响。 4. 沉积温度:温度对薄膜的...
采用TEOS源CVD技术生长SiO2,其膜厚度均匀(±1.5%,2英寸衬底);折射率可控制在1.453±0.001内,折射率稳定,且退火后不会改变;与高温退火技术相结合,可进行厚膜生长。整个生长工艺与硅工艺兼容。 附图说明 图1是TESO PECVD SiO2-生长系统结构图。 图2是氧化硅生长速率随衬底温度的变化。 图3是生长氧化硅的折射率随...
通常采用电阻丝加热器或激光加热器对基片进行加热,提高基片温度至几百摄氏度。 然后是沉积步骤。沉积是将所需的薄膜材料通过化学反应在基片表面沉积成薄膜。PECVD使用的气体一般包括有机硅化合物(如SiH4、TEOS)和载气(如氮气、氢气),还可以加入掺杂气体(如Dopant)来制备掺杂材料。在高压和高频交流电场的作用下,气体...
例如,pecvd反应是用teos和/或硅烷进行的。已经发现teos和硅烷反应物在进行pecvd反应中特别有用。通常,上述在peald反应物部分中列出的反应物可以用于pecvd反应中。然而,在一些实施方案中,反应物与用于pecvd的teos或硅烷和用于peald的氨基硅烷不同。 37.在从peald转换到pecvd的处理中,在一些实施方案中,可以降低rf功率...
peald工艺已被证明在温度变化方面具有相当的弹性。具体地讲,该过程已经被证明适用于200℃和400℃。在一些实施方式中,因此,该过程在约200℃至400℃之间的温度进行。然而,在其他情况下,温度可以在该范围之外。 在peald工艺期间,反应室内的压力可以在约1托至10托之间,或者在约3托至7托之间,例如,约6托。